型號(hào)：2SJ355-VB
絲印：VBI2338
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 類型：P溝道
- 額定電壓（Vds）：-30V
- 最大持續(xù)電流（Id）：-5.8A
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：50mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍（Vgs）：20V（正負(fù)）
- 閾值電壓范圍（Vth）：-0.6~-2V
- 封裝：SOT89-3

應(yīng)用簡介：
2SJ355-VB是一款P溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于需要負(fù)向電壓操作的電子應(yīng)用。它在電流開關(guān)和電壓逆變器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

詳細(xì)參數(shù)說明：
1. **類型**：這是一款P溝道MOSFET，意味著它在輸入負(fù)向電壓時(shí)導(dǎo)通。這種類型的MOSFET通常用于需要負(fù)向電壓操作的電路中。

2. **額定電壓（Vds）**：它可以承受的最大漏極-源極電壓為-30V。這表示它可以在負(fù)向電壓條件下工作。

3. **最大持續(xù)電流（Id）**：這款MOSFET的最大電流承受能力為-5.8A。負(fù)號(hào)表示電流流向是從源到漏極。

4. **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為50mΩ，表示在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗相對(duì)較低。

5. **門源電壓范圍（Vgs）**：MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來控制它的導(dǎo)通狀態(tài)。

6. **閾值電壓范圍（Vth）**：這款MOSFET的閾值電壓范圍為-0.6~-2V。這是啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門源電壓范圍。

7. **封裝**：這款MOSFET采用SOT89-3封裝，這是一種小型封裝，適用于小型電路板和空間受限的應(yīng)用。

應(yīng)用領(lǐng)域：
2SJ355-VB這款P溝道MOSFET適用于多種需要負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，包括但不限于以下領(lǐng)域模塊：

1. **電源開關(guān)**：可用于負(fù)向電壓電源開關(guān)，如電壓轉(zhuǎn)換和電源控制。

2. **電壓逆變器**：用于逆變器電路，將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，如太陽能逆變器和電力逆變器。

3. **電池保護(hù)**：可用于電池保護(hù)電路，以確保電池不過充電或過放電。

4. **負(fù)載開關(guān)**：用于控制負(fù)載的通斷，如LED照明系統(tǒng)、電動(dòng)工具和電子設(shè)備。

5. **電源管理**：在需要負(fù)向電壓電源管理和電流控制的應(yīng)用中使用，以確保高效的電源供應(yīng)。

總之，這款P溝道MOSFET適用于需要負(fù)向電壓操作的電子模塊和設(shè)備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在需要負(fù)向電壓操作的應(yīng)用中。