--- 產品參數 ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT89-3封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號:2SJ518-VB
絲印:VBI2658
品牌:VBsemi
參數:
- P溝道
- 額定電壓:-60V
- 最大電流:-5A
- 開態電阻 (RDS(ON)):58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth):1~3V
- 封裝:SOT89-3
應用簡介:
2SJ518-VB是一款P溝道MOSFET,適用于負極性電壓應用,具有低開態電阻和適中的電流電壓特性。這款MOSFET適用于需要負電壓開關和控制的應用。
主要特點和應用領域:
1. **電源逆變器**:2SJ518-VB可用于電源逆變器,將正電壓轉換為負電壓,適用于一些特殊應用,如負電壓電源系統。
2. **電流控制**:這款MOSFET可用于負電流控制,例如電流源、電流控制器和電流放大器,用于實現精確的電流調控。
3. **負極性電源管理**:在特殊應用中,需要負極性電源管理,2SJ518-VB可以用于實現電源開關和控制。
4. **電池保護**:在移動設備和電池供電系統中,這款MOSFET可以用于電池保護電路,確保電池充電和放電過程中的安全性和穩定性。
5. **負電壓電源調節器**:2SJ518-VB可用于負電壓電源調節器,用于調整負載的電流和電壓。
總之,2SJ518-VB適用于多個領域,包括電源逆變器、電流控制、負極性電源管理、電池保護和負電壓電源調節器等模塊。其P溝道特性和低開態電阻等特性使其成為處理負電壓應用的理想選擇。
為你推薦
-
72580E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-11-19 15:57
產品型號:72580E-VB 封裝:SOT669 溝道:Single-N -
72560E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-11-19 15:55
產品型號:72560E-VB 封裝:SOT669 溝道:Single-N -
72210E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-11-19 15:54
產品型號:72210E-VB 封裝:SOT669 溝道:Single-N -
72140E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-11-19 15:53
產品型號:72140E-VB 封裝:SOT669 溝道:Single-N -
71560E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-11-19 15:51
產品型號:71560E-VB 封裝:SOT669 溝道:Single-N -
715310E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-11-19 15:39
產品型號:715310E-VB 封裝:SOT669 溝道:Single-N -
71510E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-11-19 15:38
產品型號:71510E-VB -
71480E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-11-19 15:36
產品型號:71480E-VB 封裝:SOT669 溝道:Single-N -
71240E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-11-19 15:34
產品型號:71240E-VB 封裝:SOT669 溝道:Single-N -
71210E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-11-19 15:32
產品型號:71210E-VB 封裝:SOT669 溝道:Single-N