型號：2N7002WT1G-VB
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品牌：VBsemi
參數說明：
- MOSFET類型：N溝道
- 額定電壓：60V
- 最大電流：0.35A
- 導通電阻（RDS(ON)）：1800mΩ @ 10V, 2160mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 閾值電壓（Vth）：1~2.5V
- 封裝：SC70-3
應用簡介：
2N7002WT1G-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種電子設備和電路中，特別適用于需要低功率開關、信號放大和電流控制的應用。
**應用領域和模塊說明：**
1. **低功率開關模塊**：
- 由于其N溝道MOSFET的特性，2N7002WT1G-VB適用于低功率開關模塊，可用于控制低電壓和低電流的開關操作。
- 在便攜式電子設備、電源管理模塊、小型電子開關中廣泛使用。
2. **信號放大模塊**：
- 該MOSFET可用于信號放大模塊，用于放大和控制小信號的傳輸。
- 在音頻放大器、傳感器接口、信號調理電路中用于信號處理。
3. **電流控制模塊**：
- 2N7002WT1G-VB的特性使其適用于電流控制應用，可用于調整和限制電流流動。
- 在恒流源、電流調節電路、電流控制開關中用于精確的電流控制。
4. **模擬開關模塊**：
- 該MOSFET可用于模擬開關模塊，用于開關模擬信號。
- 在模擬電路切換、模擬信號選擇和模擬電路開關中廣泛應用。
總結，2N7002WT1G-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種低功率、信號處理和電流控制應用。其特性使其成為低功率電子設備、信號放大器、電流控制模塊和模擬開關模塊中的重要組件，有助于實現精確的電路控制和信號處理。
