--- 產品參數 ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOP8封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號:NTMS4177PR2G-VB
絲印:VBA2311
品牌:VBsemi
參數:
- P溝道
- 最大耐壓:-30V
- 最大電流:-11A
- 開通態電阻:10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓:-1.42V
封裝:SOP8
該型號的NTMS4177PR2G-VB是一種P溝道MOSFET晶體管,適用于多種應用領域。以下是該產品的詳細參數說明和應用簡介:
**詳細參數說明:**
- 最大耐壓:-30V,這表示它可以承受不超過30伏的電壓。
- 最大電流:-11A,該MOSFET可以承受最高11安培的電流。
- 開通態電阻:在不同電壓下,其導通狀態的電阻分別為10毫歐姆(@ 10V)和13毫歐姆(@ 4.5V)。這表明它在導通狀態下有很低的電阻。
- 閾值電壓:-1.42V,表示MOSFET在此電壓下開始導通。
**應用簡介:**
這種MOSFET(NTMS4177PR2G-VB)適用于多個領域的電路模塊,主要用于電流控制、電壓開關和功率放大。具體應用包括但不限于以下領域:
1. **電源管理模塊:** 用于開關電源和電壓調節電路,幫助實現高效能源管理。
2. **驅動模塊:** 作為驅動電機或其他電子設備的開關,用于控制電流和電壓。
3. **電源逆變器:** 在逆變器中,它可以用于將直流電轉換為交流電,適用于太陽能逆變器、電動汽車充電器等。
4. **LED照明控制:** 用于控制LED燈的亮度和開關,實現節能和亮度調節。
總之,NTMS4177PR2G-VB是一種多功能的MOSFET,適用于多種電子應用領域,主要用于電流控制和電源管理。
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