型號(hào)：SSM3J36FS-VB
絲印：VBTA2245N
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 封裝類(lèi)型：SC75-3
- 溝道類(lèi)型：P—Channel
- 最大漏電壓（Vds）：-20V
- 最大漏極電流（Id）：-0.4A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：450mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 閾值電壓（Vth）：-0.45V

封裝：SC75-3

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
SSM3J36FS-VB是一款P-Channel溝道MOSFET，適用于多種電路和模塊設(shè)計(jì)，特別是在需要P-Channel MOSFET的低功耗和小型化應(yīng)用中。

領(lǐng)域模塊應(yīng)用：
1. **電源管理模塊：** 適用于電源管理電路，例如低功耗開(kāi)關(guān)電源、便攜式電源等，以實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和能量管理。

2. **電池保護(hù)模塊：** 用于電池充放電管理電路，提供高效的電池管理和保護(hù)功能。

3. **信號(hào)開(kāi)關(guān)模塊：** 在一些需要模擬開(kāi)關(guān)功能的電路設(shè)計(jì)中，如信號(hào)開(kāi)關(guān)、模擬開(kāi)關(guān)電源等。

4. **小型化設(shè)備：** 由于其小型封裝和低功耗特性，適用于小型化設(shè)備設(shè)計(jì)，如便攜式電子設(shè)備、傳感器節(jié)點(diǎn)等。

5. **模擬電路：** 在一些需要P-Channel MOSFET的模擬電路中，SSM3J36FS-VB可用于實(shí)現(xiàn)高性能的模擬信號(hào)處理。

請(qǐng)注意，以上是一些典型的應(yīng)用場(chǎng)景，實(shí)際使用時(shí)需根據(jù)具體電路和系統(tǒng)要求進(jìn)行選擇和設(shè)計(jì)。在集成SSM3J36FS-VB時(shí)，建議仔細(xì)閱讀其數(shù)據(jù)手冊(cè)以獲取詳細(xì)的電特性和操作信息。