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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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RU30L30M-VB一種P溝道DFN8(3X3)封裝MOS管

型號: RU30L30M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 DFN8(3X3)封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號: RU30L30M-VB
絲印: VBQF2309
品牌: VBsemi
參數:
- 溝道類型: P—Channel
- 額定電壓: -30V
- 額定電流: -45A
- 導通電阻 (RDS(ON)): 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth): -2.23V
- 封裝: DFN8(3X3)

應用簡介:
VBsemi的RU30L30M-VB是一款P—Channel溝道場效應晶體管,適用于負電壓、大電流的應用場景,廣泛應用于各種電源系統和功率模塊,提供高效的功率控制和開關性能。

**主要特點:**
1. 適用于負電壓環境,額定電壓為-30V。
2. 高額定電流,適用于大功率應用,額定電流為-45A。
3. 低導通電阻,提供高效率的電源控制性能。
4. 小型DFN8(3X3)封裝,適用于緊湊的電路設計。

**應用領域和模塊:**
1. **電源開關模塊:** 用于構建高性能負電壓電源開關模塊,可應用于通信設備、服務器電源等領域。
2. **電機驅動和控制系統:** 適用于負電壓電機驅動模塊,如電動工具、汽車電子系統等領域。
3. **負電壓直流-直流轉換器:** 在負電壓直流轉換器中,提供高效率的功率轉換,適用于電動車電源、工業電源等場景。

**使用注意事項:**
1. 在設計中請確保正確連接器件,避免反接和過載情況,以防損壞器件。
2. 請按照數據手冊提供的最大額定值使用電壓和電流,以確保穩定可靠的性能。
3. 注意適當的散熱措施,以維持器件在工作過程中的合適溫度。
4. 確保器件操作在規定的環境條件下,避免超過溫度和電壓的極限值。

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