--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT23封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**詳細參數(shù)說明:**
- **型號:** NTR4502PT3G-VB
- **絲印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** SOT23
- **溝道類型:** P-Channel
- **額定電壓(Vds):** -30V
- **額定電流(Id):** -5.6A
- **導通電阻(RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓(Vth):** -1V
**應用簡介:**
適用于低功率、低電壓負載開關應用,是P-Channel MOSFET,具有相對低的導通電阻,可實現(xiàn)有效的功率控制和開關操作。
**主要應用領域和模塊:**
1. **電源管理模塊:** 在電源管理模塊中,用作低功率開關電源、穩(wěn)壓器等,提供有效的能量轉換。
2. **電池保護模塊:** 適用于小型電池保護電路,控制電池充放電過程。
3. **小型電源適配器:** 在小型電源適配器中,用作開關元件,提高能源轉換效率。
4. **LED照明控制:** 適用于小功率LED照明控制模塊,提供可調光和開關功能。
**作用:**
NTR4502PT3G-VB作為P-Channel MOSFET,在低功率、低電壓負載開關應用中,提供可靠的功率控制和開關操作。
**使用注意事項:**
1. **電壓等級:** 確保在規(guī)定的額定電壓范圍內使用,避免超過最大額定電壓。
2. **電流方向:** 作為P-Channel MOSFET,電流方向是從源極到漏極,應注意電流方向。
3. **溫度:** 注意工作溫度范圍,確保在適當?shù)臏囟葪l件下使用。
4. **驅動電壓:** 在控制端(Gate)施加適當?shù)尿寗与妷海源_保可靠的功率控制。
5. **閾值電壓范圍:** 注意閾值電壓范圍,確保在規(guī)定的范圍內實現(xiàn)正常操作。
以上是對NTR4502PT3G-VB的詳細參數(shù)、應用和使用注意事項的簡要說明。確保按照規(guī)格書和數(shù)據(jù)手冊中的指導操作。
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