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前道是指晶圓制造廠的加工過程，在空白的硅片完成電路的加工，出廠產品依然是完整的圓形硅片。 后道是指封裝和測試的過程，在封測廠中將圓形的硅片切割成單獨的芯片顆粒，完成外殼的封裝，最后完成終端測試，出廠為芯片成品。...
光學模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學成像理論，預先計算出透射相交系數（TCCs），從而描述光刻機的光學成像。光學模型中，經過優化的光源，通過光刻機的照明系統，照射在掩模上。如果在實際光刻中，入射光的波長大于掩模線寬，成像效果由衍射效應主導，一些衍射級次通過了一定數值孔徑的投影系統入射光瞳，再...
刻蝕的機制，按發生順序可概分為「反應物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個刻蝕，包含反應物接近、生成物離開的擴散效應，以及化學反應兩部分。...
焊球斷裂是BGA焊接過程中常見的問題，主要原因是焊接溫度的不適當控制或設備振動。如果焊接溫度過高，焊球可能會過度膨脹，導致焊球斷裂；如果設備振動過大，也可能導致焊球的機械應力增大，從而引發斷裂。...
沿著從 SoC 到高級封裝技術（如 InFo/Feveros/X-Cube）的路徑，需要一種整體方法來同時解決項目的規劃、編輯和優化環境問題。以及向后考慮決策路徑的影響。例如，通過在工藝早期迭代放置凸塊（bump ）、PAD 和macros，可以縮短周轉時間。...
晶體管雖然很神奇，但比較脆弱，需要保護，因此在晶體管發明的同一年，電子封裝也出現了，其首要任務就是對晶體管進行保護，并通過引線進行晶體管內部和外部的電氣連接，晶體管的發明同時也開創了微電子封裝的歷史。...
雙極性晶體管，英語名稱為BipolarTransistor，是雙極性結型晶體管的簡稱，由于其具有三個終端，因此通常將其稱為三極管。三極管由兩個PN結構成，兩個PN結將其分為發射區、基區和集電區，相應的產生三個電極：發射極、基極和集電極。...
在“通孔插裝軸向元器件引線在印制電路板焊盤上的搭接焊接工藝技術要求”一節里，詳細介紹了搭接焊接的前提，元器件引線搭接焊接成形要求，不同形狀引線的搭接要求，通孔插裝元器件穿孔搭接焊接要求和插裝元器件貼裝焊接缺陷案例。...
直接成像（DI）是指計算機將電路設計圖形轉換為機器可識別的圖形數據，并由計算機控制光束調制器實現圖形的實時顯示，再通過光學成像系統將圖形光束聚焦成像至已涂覆感光材料的基板表面上，完成圖形的直接成像和曝光。...
在晶圓生產工藝的結尾，有些晶圓需要被減薄（晶圓減薄）才能裝進特定的封裝體重，以及去除背面損傷或結；對于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金（背面金屬化，簡稱背金）；...
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。...
在芯片制造中，單純的物理研磨是不行的。因為單純的物理研磨會引入顯著的機械損傷，如劃痕和位錯，且無法達到所需的平整度，因此不適用于芯片制造。...
封裝工序 （Packaging）：是指 生產加工后的晶圓進行 切割、焊線塑封，使電路與外部器件實現鏈接，并為半導體產品提供機械保護，免受物理、化學等外界環境影響產品的使用。...
TSV是2.5D和3D集成電路封裝技術中的關鍵實現技術。半導體行業一直在使用HBM技術將DRAM封裝在3DIC中。...
整個芯片都有一個溫度，所以分辨率是厘米大小的，用于觀察電路板上或外殼內部的散熱情況。然后是 IC 團隊，他們現在不再只有一張 IC。有一堆IC粘在一起。這個 IC 團隊以微米的分辨率來研究事物。...
雕刻電路圖案的核心制造設備是光刻機，它的精度決定了制程的精度。光刻機的運作原理是先把設計好的芯片圖案印在掩膜上，用激光穿過掩膜和光學鏡片，將芯片圖案曝光在帶有光刻膠涂層的硅片上，涂層被激光照到之處則溶解，沒有被照到之處保持不變，掩膜上的圖案就被雕刻到芯片光刻膠涂層上。...
引線鍵合看似舊技術，但它仍然是廣泛應用的首選鍵合方法。這在汽車、工業和許多消費類應用中尤為明顯，在這些應用中，大多數芯片都不是以最先進的工藝技術開發的，也不適用于各種存儲器。...
互連技術是封裝的關鍵和必要部分。芯片通過封裝互連，以接收功率、交換信號并最終進行操作。由于半導體產品的速度、密度和功能隨互連方式的不同而不同，互連方法也在不斷變化和發展。...
要了解混合鍵合，需要了解先進封裝行業的簡要歷史。當電子封裝行業發展到三維封裝時，微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級封裝的一種形式，在芯片之間提供垂直互連。凸塊的尺寸范圍很廣，從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。...
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