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• S7-1200 CPU 存儲卡的應(yīng)用分析

  S7-1200 CPU 使用的存儲卡為 SD 卡，存儲卡中可以存儲用戶項(xiàng)目文件，有如下3種功能： 作為 CPU 的裝載存儲區(qū)，用戶項(xiàng)目文件可以僅存儲在卡中，CPU 中沒有項(xiàng)目文件，離開存儲卡無法運(yùn)行。...

  1003次閱讀 · 0評論 cpu存儲卡S7-1200
  

• 大算力時代，關(guān)于內(nèi)存墻的應(yīng)對方法

  以Transformer架構(gòu)為基礎(chǔ)的AI大模型導(dǎo)致了模型參數(shù)量激增，短短兩年間模型大小擴(kuò)大了驚人的410倍，運(yùn)算量更是激增了高達(dá)750倍。...

  291次閱讀 · 0評論 gpu內(nèi)存AI自動駕駛算力
  

• HBM：突破AI算力內(nèi)存瓶頸，技術(shù)迭代引領(lǐng)高性能存儲新紀(jì)元

  HBM制造集成前道工藝與先進(jìn)封裝，TSV、EMC、鍵合工藝是關(guān)鍵。HBM制造的關(guān)鍵在于TSV DRAM，以及每層TSV DRAM之間的連接方式。...

  1097次閱讀 · 0評論 DRAM寄存器cpuAIHBM
  

• HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對比

  AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測算，預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元，增速超過50%。...

  1187次閱讀 · 0評論 存儲器服務(wù)器HBMAI服務(wù)器HBM3HBM3E
  

• 利用CXL技術(shù)重構(gòu)基于RDMA的內(nèi)存解耦合

  本文提出了一種基于RDMA和CXL的新型低延遲、高可擴(kuò)展性的內(nèi)存解耦合系統(tǒng)Rcmp。其顯著特點(diǎn)是通過CXL提高了基于RDMA系統(tǒng)的性能，并利用RDMA克服了CXL的距離限制。...

  2590次閱讀 · 0評論 數(shù)據(jù)中心PCIe通信機(jī)制RDMA深度學(xué)習(xí)
  

• 以太網(wǎng)存儲網(wǎng)絡(luò)中的擁塞控制與管理策略

  當(dāng)出口隊(duì)列利用率超過上升閾值時，Cisco Nexus 9000 交換機(jī)可檢測到微突發(fā)。當(dāng)隊(duì)列利用率低于下降閾值時，微突發(fā)結(jié)束。根據(jù)交換機(jī)型號的不同，本文撰寫時的最小微突發(fā)粒度為 0.64 微秒，持續(xù)時間為 73 微秒。...

  588次閱讀 · 0評論 以太網(wǎng)交換機(jī)UDP光纖通道存儲網(wǎng)絡(luò)
  

• 數(shù)據(jù)存儲技術(shù)未來發(fā)展趨勢與前景展望

  數(shù)據(jù)存儲對于數(shù)據(jù)挖掘與分析、數(shù)據(jù)整合與共享、智能決策支持、業(yè)務(wù)模式創(chuàng)新以及優(yōu)化資源配置等方面具有重要作用。按照存儲介質(zhì)不同，數(shù)據(jù)存儲技術(shù)主要可分為磁性存儲、光學(xué)存儲以及半導(dǎo)體存儲三大類...

  3257次閱讀 · 0評論 DRAM數(shù)據(jù)存儲EEPROM光存儲磁性存儲
  

• 索尼新突破：半導(dǎo)體激光器讓數(shù)據(jù)存儲邁向30TB時代

  日本索尼正通過大規(guī)模生產(chǎn)激光二極管來顯著提升大容量機(jī)械硬盤（HDD）的存儲容量，以滿足全球AI數(shù)據(jù)中心日益增長的數(shù)據(jù)存儲需求。...

  356次閱讀 · 0評論 索尼數(shù)據(jù)存儲激光二極管半導(dǎo)體激光器

• 淺談存儲器層次結(jié)構(gòu)

  通過多級存儲器的設(shè)計，存儲器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點(diǎn)。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。...

  677次閱讀 · 0評論 DRAM寄存器存儲器cpu存儲設(shè)備
  

• DRAM存儲器為什么要刷新

  DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進(jìn)制位是1還是0。...

  2761次閱讀 · 0評論 電容器DRAM存儲器晶體管
  

• FRAM內(nèi)存耐久度的優(yōu)勢分析

  FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力，或在許多開關(guān)周期后維持鐵電開關(guān)電荷的非易失性部分的能力。...

  411次閱讀 · 0評論 存儲器RAM內(nèi)存fram非易失性存儲器
  

• 簡述存儲器的層次結(jié)構(gòu)及其分層原因

  存儲器的層次結(jié)構(gòu)是計算機(jī)系統(tǒng)中存儲器的層次化組織，分為多個層次，每個層次具有不同的訪問速度、容量和成本。...

  1971次閱讀 · 0評論 DRAM寄存器存儲器cpu計算機(jī)系統(tǒng)

• 什么存儲器速度最快

  在計算機(jī)系統(tǒng)中，寄存器（Register）通常是速度最快的存儲器。寄存器是位于中央處理器（CPU）內(nèi)部的小型、高速存儲器，用于存儲指令、數(shù)據(jù)和地址等臨時信息。...

  3653次閱讀 · 0評論 寄存器存儲器cpu計算機(jī)系統(tǒng)隨機(jī)存取存儲器

• EEPROM（Data FIash）的巧妙應(yīng)用

  EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲器。它是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片，可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。...

  821次閱讀 · 0評論 整流器閃存EEPROM存儲芯片非易失性存儲器

• 技嘉大雕512K AORUS Gen5 12000 SSD評測分析

  技嘉在銷售大雕512K AORUS Gen5 12000 SSD時，并未將散熱器安裝在SSD上，而是將散熱器與SSD分開放置，用戶可根據(jù)安裝環(huán)境條件自行決定是否使用散熱器。...

  538次閱讀 · 0評論 散熱器SSDPCIe技嘉TLC
  

• 緩存大小對CPU性能的影響解析

  為了保證L1訪問延時可以做的足夠低，通常需要設(shè)計L1的associativity盡量小。因此在Sunny Cove之前通常為8 way。這里Sunny Cove增加了一個cycle的L1訪問延時，不確定是由TLB的改動引起的還是L1 associativity由8 way增加到12 way。...

  8134次閱讀 · 0評論 寄存器存儲器cpu緩沖存儲器
  

• 深入探討DDR5測試技術(shù)的最新技術(shù)

  DDR SDRAM，是一種雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)。作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)里最重要的核心部件之一，應(yīng)用十分廣泛。從消費(fèi)類電子到商業(yè)工業(yè)類設(shè)備，從終端產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心，用于CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)處理運(yùn)算的緩存。近...

  3820次閱讀 · 0評論 DRAMSDRAMAI機(jī)器學(xué)習(xí)DDR5
  

• 鐵電存儲器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

  鐵電存儲器通常具有更快的隨機(jī)存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。...

  4731次閱讀 · 0評論 FlaSh存儲器fram鐵電存儲器
  

• 臺積電引領(lǐng)新興存儲技術(shù)潮流，功耗僅為同類技術(shù)的1%

  MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié)，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅(qū)動，后者則采用自旋極化電流驅(qū)動。...

  462次閱讀 · 0評論 臺積電存儲器存儲技術(shù)fram
  

• 影馳星曜7000 Plus SSD深度測試解析

  ，基于單處理器架構(gòu)，內(nèi)置32bit微控制器，支持NVMe 1.4協(xié)議，是一款無獨(dú)立緩存型的四通道主控。...

  825次閱讀 · 0評論 微控制器處理器散熱器SSDnvme
  
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