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SD卡具有SDHC的速度等級，范圍；2級（以2 MB / s的速度運行）；4級（以4MB / s的速度運行）；6級（以最高6 MB / s的速度運行）；10級（以最高的速度運行） 10 MB /秒；...
長江存儲晶棧Xtacking架構的原理就是在兩片獨立的晶圓上，分別加工外圍電路和存儲單元，然后在芯片封裝階段將兩者合二為一，更高效率的同時也實現了更高的密度、更快的速度。...
通常我們將存儲容量表示為：字數X位數，比如64KX8位，其含義為，以8位構成一個字，一共有64個字。這個概念要相當熟悉，后面理解題目很有用。...
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據存儲元素。...
MRAM是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。...
ram也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫（刷新時除外）且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。...
這種ROM的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統的一種EEPROM，掉電后數據不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。...
隨機存取存儲器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對其進行隨機掃描以獲取適當的信息，而不是遵循嚴格的指示。這是為了均衡所有存儲的數據位之間的訪問時間。...
Burst Length: 突發(Burst) 是指在同一行中相鄰的存儲單元連續進行數據傳輸的方式。連續傳輸的周期數就是突發長度 (Burst Lengths，簡稱BL)。...
LPDDR是在DDR的基礎上多了LP(Low Power)前綴,全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，簡稱“低功耗內存”，是DDR的一種，以低功耗和小體積著稱。...
在最為重要的內存顆粒上，根據軟件檢測，這款內存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內存使用的顆粒相同，這也意味著該內存可能具備優秀的超頻潛力。...
通過ReRAM和BCD技術的協同作用，通關鍵目標之一是實現單片集成，讓模擬、數字和功率組件能夠無縫地共存于同一芯片上，不僅僅簡化了設計流程，還提升了整體系統性能，高度集成的電路將降低與外部組件和多個芯片相關的復雜性。...
由于內存接口芯片的大規模商用要經過下游廠商的多重認證，還要攻克低功耗內存接口芯片的核心技術難關，從 DDR4 世代開始，全球內存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩（原 IDT）三家廠商。...
長江存儲致態TiPlus7100 4TB固態硬盤在測試中的表現非常優秀，其順序讀取速度大幅超越標稱的7000MB/s，在CrystalDiskMark中的順序讀取速度高達7436MB/s，同時其最高順序寫入速度也達到了6514.01MB/s，同樣明顯超過其標稱的6000MB/s順序寫入速度。...
磁盤陣列是一種企業級存儲系統（RAID級別和磁盤陣列可以提高數據的可靠性和性能。在選擇磁盤陣列時，需要考慮容量、性能、可靠性和可擴展性等因素，并進行定制化的配置以達到最佳性價比。...
靠近 CPU 的小、快速的高速緩存存儲器（cache memory）做為一部分存儲在相對慢速的主存儲器（main memory）中數據和指令的緩沖區域。...
FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。...
大模型時代AI芯片必備HBM內存已是業內共識，存儲帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關健指標，甚至某些場合超越算力，是最關鍵的性能指標，而汽車行業也開始出現HBM內存。...
電阻式內存 (Resistive Random Access Memory, RRAM) 結構為簡單的金屬-絕緣層-金屬 (Metal-Insulator-Metal, MIM)，其原理為施予電壓或電流操作，利用物質電阻改變組件的高低電阻狀態，達成數字訊號儲存效果。...
HBM 存儲器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔（TSV 或連接孔），并與放置在基礎封裝層上的中間件相連，中間件上還安裝有處理器，提供 HBM 到處理器的連接。...
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