在電源應(yīng)用中，哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求，工程師短時間內(nèi)也很難判斷哪一種開關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”（Figure of Merit, FoM），就是幫助電源設(shè)計人員直觀衡量功率器件性能優(yōu)劣的重要概念，特別是損耗描述方面，在挑選功率器件時可以發(fā)揮“神助攻”。
2023-11-28 11:47:36
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許多嵌入式應(yīng)用都會用到A/D轉(zhuǎn)換器。然而，如果錯誤連接了A/D轉(zhuǎn)換器輸入端的電路，就會無意識的破壞A/D轉(zhuǎn)換的測量
2010-11-13 09:06:552082 
為了正確理解時鐘相關(guān)器件的抖動指標(biāo)規(guī)格，同時選擇抖動性能適合系統(tǒng)應(yīng)用的時鐘解決方案，本文詳細(xì)介紹了如何理解兩種類型時鐘驅(qū)動器的抖動參數(shù)，以及從鎖相環(huán)輸出噪聲特性理解時鐘器件作為合成器、抖動濾除功能時的噪聲特性。
2013-06-21 15:40:4114342 
本文主要闡述了在驅(qū)動芯片中表征驅(qū)動能力的關(guān)鍵參數(shù)：驅(qū)動電流和驅(qū)動時間的關(guān)系，并且通過實驗解釋了如何正確理解這些參數(shù)在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2022-01-27 10:45:003262 
應(yīng)用，實現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務(wù)器計算）GaN不斷突破新應(yīng)用的界限，并開始取代汽車、工業(yè)和可再生能源市場中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設(shè)計與GaN設(shè)計的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
的可用性，有更多的設(shè)計者關(guān)注GaN選項。GaN比傳統(tǒng)MOSFET具有更明顯的優(yōu)勢，例如更高的開關(guān)速度和更高的效率。GaN器件GaN功率晶體管已經(jīng)存在了好幾年了。早期器件是在昂貴的襯底上制成的，例如
2017-05-03 10:41:53
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進(jìn)步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
。這是對該項技術(shù)、其故障模式以及測試、合格標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品運(yùn)行知識的深刻理解。在德州儀器（TI），我們要回歸基本面，創(chuàng)建一套能證明GaN合格的方法。JEDEC制定的標(biāo)準(zhǔn)將最終涵蓋這類測試，但在此期間，請參閱我們
2018-09-10 14:48:19
要求，但無法達(dá)到必需的生產(chǎn)規(guī)模和成本，與傳統(tǒng)技術(shù)相比，其成本要高出5 到 10倍，碳化硅襯底的加工成本即使在其進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段仍然會十分高昂。然而，在新的一年中，當(dāng)GaN器件從傳統(tǒng)的 4 英寸化合物
2017-04-05 10:50:35
為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
今天的博文是一個動手操作項目：你將用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules? 微控制器和一個滾輪來調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會談到其中的硬件和固件。先給你的焊接設(shè)備充上電，我們馬上開始。你
2022-11-17 06:56:35
正確理解AC耦合電容在高頻電路設(shè)計中，經(jīng)常會用到AC耦合電容，要么在芯片之間加兩顆直連，要么在芯片與連接器之間加兩顆。看似簡單，但一切都因為信號的高速而不同。信號的高速傳輸使這顆電容變得不“理想
2021-12-30 07:52:17
一、正確理解DC/DC轉(zhuǎn)換器： DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器
2021-11-16 06:32:19
阻抗、穩(wěn)態(tài)還是可變負(fù)載，電源設(shè)備都必須可靠地提供穩(wěn)定、精密和清潔的電壓和電流。工程師在應(yīng)用中如要選擇適合的電源，需要透徹理解電源指標(biāo)。下面簡要介紹線性電源指標(biāo)。 線性電源非常耐用、準(zhǔn)確并能提供低噪聲
2012-08-07 21:58:49
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
`3D CAD下載量持續(xù)爆發(fā)式增長—CADENAS CAD模型單月下載量首.次突破3800萬個秋天里，除了五顏六色、憑風(fēng)直上的風(fēng)箏，還有CADENAS越來越高的3D CAD下載量。 在2019年9月
2019-11-19 15:18:28
LDMOS和GaN各有什么優(yōu)劣勢？能理解成完全會是一個時代替換另一個時代嗎？
2015-08-11 14:50:15
正確理解了所有內(nèi)容，還是對這個問題有任何澄清？2.視頻卡Nvidia Tesla M60主要用于處理3D建模軟件Bentley Microstation v8。處理過的模型非常大（對于整條街道而言）并且
2018-09-13 17:08:32
0.0 OSI模型的簡單理解OSI（Open System Interconnect），即開放式系統(tǒng)互聯(lián)。一般都叫OSI參考模型，是ISO（國際標(biāo)準(zhǔn)化組織）組織在1985年研究的網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)模型。該
2021-07-30 06:08:26
、STM32F427IIH6外設(shè)時鐘1、時鐘樹時鐘樹的講解可以參考野火或者原子的書籍，下圖展示了STM32F427IIH6的時鐘的分頻倍頻關(guān)系。正確理解時鐘樹有助于我們從一個整體的角度把握芯片的工作時鐘，對代碼的編寫是十分有用的。對于 SYSCLK、 HCLK（AHB總線時鐘）、 PCLK2（APB
2021-08-10 07:17:42
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進(jìn)一步突破了對常規(guī)功率密度預(yù)期的限值。基于數(shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進(jìn)行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
模型（逐字節(jié)），我也得到了信息傳遞字符串。這意味著我可以總是使用模型（逐字節(jié)）代替文件I/O類型的讀/寫傳輸模型？或者最后一個模型比字節(jié)模型有更多的應(yīng)用程序？此外，緩沖隊列傳輸模型是最復(fù)雜的理解模型。有人能幫助我理解這個模型的實際應(yīng)用嗎？非常感謝你。
2020-04-23 13:56:48
我正確理解，在 stm32h743 中，您只能最少刪除一個 128K 字節(jié)的扇區(qū)？
2023-01-13 07:14:31
`? GAN 是什么？：Generative Adversarial Network我們可以這樣定義:“對抗生成網(wǎng)絡(luò)(GAN)是一種深度學(xué)習(xí)模型，模型通過框架中至少兩個框架：生成模型和判別模型的互相
2021-07-01 10:53:46
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
評估半導(dǎo)體的數(shù)學(xué)模型。這需要付出很多努力，但這些模型可以非常準(zhǔn)確地預(yù)測所表征器件的開關(guān)行為，甚至降低了混合模式仿真模型的計算能力要求。在各種工作條件下精確測量器件開關(guān)能量損耗的最后一種方法是使用傳統(tǒng)
2023-02-21 16:01:16
開關(guān)電源的相關(guān)概述，正確理解各類開關(guān)電源很重要。
2021-03-16 08:41:02
樹模型的一些理解
2020-05-22 09:40:45
成功地開發(fā)和評估了圖像分類任務(wù)以及最近的圖像分割。發(fā)現(xiàn)的架構(gòu)優(yōu)于人工設(shè)計的模型。然而，單純地將現(xiàn)有的NAS想法從圖像分類/分割移植到GAN是不夠的。
2020-11-30 07:29:18
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
電容靠近發(fā)送端的眼圖圖3：AC耦合電容靠近接收端的眼圖顯然，這顆AC耦合電容靠近接收端的時候信號的完整性要好于放在發(fā)送端。我的理解是這樣的，非理想電容器阻抗不連續(xù)，信號經(jīng)過通道衰減后反射的能量會小于
2021-07-07 07:30:00
`如何正確理解功率MOSFET的數(shù)據(jù)表（上篇）.`
2012-08-13 14:24:17
磁珠經(jīng)常在電路中使用，但是如何正確理解磁滯損耗呢？
2021-03-06 08:22:12
在模型預(yù)測控制中，把狀態(tài)空間模型轉(zhuǎn)換成MPC狀態(tài)空間模型，結(jié)果得到一個矩陣，如何去理解這個矩陣代表的意義？
2019-03-20 16:09:03
何為變量？變量一般可以細(xì)分為如下圖：本節(jié)重點為了讓大家理解內(nèi)存模型的“棧”，暫時不考慮“靜態(tài)變量” 的情況，并約定如下：“全局變量”僅僅默認(rèn)為“普通全局變量”；“局部變量”僅僅默認(rèn)為“普...
2021-12-22 07:30:05
的“大師”知識來完成，使用測得的負(fù)載牽引數(shù)據(jù)可以提高PA設(shè)計的成功率，但不一定能夠獲得所需應(yīng)用頻率下的負(fù)載牽引數(shù)據(jù)。而使用精確的非線性模型可以更快地生成設(shè)計數(shù)據(jù)，關(guān)注更精確的PA 行為，并獲得更好的結(jié)果。本文中，我們將為您介紹如何利用非線性模型幫助GaN PA進(jìn)行設(shè)計？
2019-07-31 08:13:22
作為一項相對較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
更低成本的塑料封裝。對于電源設(shè)計人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會 (JEDEC) 針對硅器件的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)證明是產(chǎn)品
2019-07-12 12:56:17
;nbsp; 本章要求學(xué)生熟練掌握共射、共集和共基組態(tài)放大電路工作原理，靜態(tài)工作點的求解，用小信號模型法分析增益、輸入和輸出電阻。正確理解放大電路的圖解分析法，正確理解溫度對工作點
2008-09-28 09:36:58
30 GHz由GaN PA和其他GaAs功能器件塑封形成的2W集成前端模塊。 通過使用包括陷阱和熱效應(yīng)以及測量結(jié)果的精確非線性FET模型，保證了電路設(shè)計的成功。將負(fù)載牽引測量與仿真結(jié)果進(jìn)行比較驗證了
2020-12-21 07:09:34
。本文中，我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎(chǔ)知識。什么是非線性GaN 模型？對許多工程師來說，設(shè)計PA 的第一步是閱讀晶體管產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊并查看S 參數(shù)。S 參數(shù)文件很有用，但有關(guān)器件大信號
2018-08-04 14:55:07
晶體三極管及其放大電路:一、重點1．正確理解三極管的結(jié)構(gòu)、電流分配、伏安特性和“放大”的實質(zhì)。2．三極管放大電路的圖解法、小信號模型和放大電路的小信號模型分析
2009-09-16 09:07:04
104 了解共模和差模信號之間的差別，對正確理解脈沖磁路和工作模塊之間的
關(guān)系是至關(guān)重要的。變壓器、共模扼流圈和自耦變壓器的端接法，對在局域網(wǎng)
(L
2010-08-20 16:13:5246 正確理解和測試信息技術(shù)設(shè)備的接地
正確理解電氣設(shè)備，尤其是敏感的信息技術(shù)設(shè)備的“接地”概念，是工程施工與檢測的基礎(chǔ)。所謂“接地”是否意味著必
2010-01-08 11:40:16725 
1 引言 了解共模和差模信號之間的差別,對正確理解
2010-06-13 17:50:404641 
Modelithics， Inc. 和 Qorvo 宣布，近期將擴(kuò)展用于 Qorvo GaN 晶體管的 Modelithics? 高精度非線性模型庫。當(dāng)前的 GaN 模型版本 （v1.5） 廣受歡迎并具有 29 種封裝器件及裸芯片晶體管模型。新計劃將增加20逾種新型 Qorvo GaN 晶體管模型。
2015-08-28 17:00:002780 正確理解Q值，交流電的功率及Q值的意義，RLC串聯(lián)諧振電路實驗補(bǔ)充知識
。
2016-01-18 17:36:272 TI正在設(shè)計基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計劃和相關(guān)的應(yīng)用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管（HEMT）。
2016-04-25 14:16:152683 上個世紀(jì)"原子的太陽系模型"在科學(xué)上的突破，并不能代表互聯(lián)網(wǎng)的“大腦模型”因此就正確，這個科學(xué)史歷程只是說明，當(dāng)一個系統(tǒng)因為特別的原因無法獲知其整體結(jié)構(gòu)時，用另外一個已知的，大眾更容易理解的系統(tǒng)模型進(jìn)行對比和解釋，應(yīng)該是科學(xué)研究的一種方法。
2018-06-14 10:45:254664 OSI模型的理解
以你和你女朋友以書信的方式進(jìn)行通信為例。
1、物理層：運(yùn)輸工具，比如火車、汽車。
2、數(shù)據(jù)鏈路層：相當(dāng)于貨物核對單，表明里面有些什么東西，接受的時候確認(rèn)一下是否正確（CRC檢驗）。
3、網(wǎng)絡(luò)層：相當(dāng)于郵政局或快遞公司地址（IP地址），能正確到達(dá)對方；通俗理解
2018-08-23 08:00:0035 區(qū)塊鏈里的交易，大概可以理解為是 “A 地址轉(zhuǎn)給 B 地址 xx 個幣”，“B 地址轉(zhuǎn)給 C 地址 xx 個幣”這樣的信息。如果 C地址收到了 xx 個幣，但沒有往外轉(zhuǎn)，那這就會在 UTXO 數(shù)據(jù)庫
2018-10-23 14:26:03773 
譯者注：本文簡化了“拜占庭將軍問題”中可能出現(xiàn)的多種數(shù)學(xué)模型，簡要指出拜占庭問題解決的核心是“盡管有破壞者存在，擁有最多算力的鏈即可認(rèn)定為主鏈，因為做叛徒（發(fā)布虛假區(qū)塊）的成本和競爭難度非常大
2019-04-15 11:22:381448 例如，采樣率為2500MHz，基礎(chǔ)頻率是1807MHz，將會在第一奈奎斯特區(qū)有一個693MHz的諧波分量。
2019-07-24 15:36:162108 
近年來，由于氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積，GaN已被RF工業(yè)大量采用。
2019-06-30 12:53:163835 
說起石墨烯地暖除了知道它是一種新材料之外，其余還知道發(fā)熱快、發(fā)熱均勻、使用不干燥、壽命長等，但它為什么被叫做“石墨烯地暖”？
2020-04-15 15:05:407864 ［1］。 依托Crosslight公司先進(jìn)的半導(dǎo)體激光器設(shè)計平臺，我司技術(shù)團(tuán)隊開發(fā)出secondary aperture模型，即建議利用選區(qū)生長的方式在p-GaN層中插入n-GaN層，形成secondary aperture，n-GaN插入層的引入可形成反偏pn結(jié)，并對空穴造成耗盡效應(yīng)［2］，可在孔徑外形成縱向能帶勢壘，
2020-08-12 10:44:41480 
國產(chǎn)化，軟件也開始上線自研系統(tǒng)。而這個自研系統(tǒng)就是我們所熟知的鴻蒙OS。盡管對于它華為一再強(qiáng)調(diào)并非為手機(jī)而生，但是手機(jī)什么時候可以用上鴻蒙系統(tǒng)仍然是最受關(guān)注的問題，但很多人并不了解它。 要了解首先要理解，而理解
2020-12-22 11:55:382448 ） - 但這是什么意思？ ? 名詞解釋：究竟什么是生成對抗網(wǎng)絡(luò)（GAN）？ GAN背后的理念最初是在2014年提出的，在最基本的層面上將，它描述了一個系統(tǒng)，這個系統(tǒng)中將兩個AI系統(tǒng)（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)）相互對立，以提高模型輸出結(jié)果的質(zhì)量。 ? 為了理解GAN是如何工作的，可以想象一個盲人偽造者試圖仿造一幅大師的
2022-11-15 17:19:26288 2020 年是 AI 逐漸深入生活，倒逼各行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的一年。與此同時，隨著新技術(shù)的產(chǎn)生，也開始帶來不少麻煩與問題。如何正確理解新技術(shù)，并像解題一樣，解決與之相伴的新問題，成為一項考驗。 2020
2020-12-18 14:41:484934 機(jī)器閱讀理解是一項針對給定文本和特定問題自動生成或抽取相應(yīng)答案的問答任務(wù)，該任務(wù)是評估計機(jī)系統(tǒng)對自然語言理解程度的重要任務(wù)之一。相比于傳統(tǒng)的閱讀理解任務(wù)，多文檔閱讀理解需要計算模型具備更高的推理
2021-03-16 11:41:3810 航陸空通話是飛行員與管制員進(jìn)行話音通信的主要方式，是管制員指令發(fā)送與飛行員指令回復(fù)的信息載體，飛行員正確理解管制員所發(fā)出的指令對于民航運(yùn)輸安全有著重要意義。采用深度學(xué)習(xí)方法對陸空通話進(jìn)行實時語義校驗
2021-03-26 09:22:5934 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供正確理解電路保護(hù)設(shè)計及器件選擇資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:53:0212 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供選型必讀：正確理解電阻在電路中的作用資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-13 08:54:2359 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供如何正確理解嵌入式軟件可靠性設(shè)計？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-18 08:50:562 系統(tǒng)的零輸入響應(yīng)是當(dāng)系統(tǒng)沒有外加激勵信號作為輸入時的響應(yīng)。系統(tǒng)的輸入信號去除以后，輸出的響應(yīng)信號一般不會突然消失。這是因為在輸入信號去除之前，系統(tǒng)中的儲能元件中一般總蓄有電磁，而這些能量不可能突然消失，它將逐漸釋放出來，直至最后消耗殆盡。零輸入響應(yīng)正是由這種初始的能量分布狀態(tài)，即初始條件所決定的。 為求系統(tǒng)的零輸入響應(yīng)，就要解下面式子所示的齊次方程。 現(xiàn)在，先來討論求解一階和二階齊次微分方程的簡單情況
2021-05-19 16:08:0114120 
像素點越多，照片包含的原始信息就越接近真實，自然看起來也就越清晰。 我們從示波器上看到的波形其實也可以理解成一張照片，那么這張照片包含的點越多，自然也就越接近真實的樣子。 示波器的存儲深度就是表達(dá)了示波器最多能存儲多少個數(shù)
2021-07-27 16:19:148508 
Compensation Designer 2P2Z控制器S域模型理解
2022-10-28 12:00:247 功率器件如MOSFET、IGBT需要驅(qū)動電路的配合從而得以正常地工作。圖1顯示了一個驅(qū)動芯片驅(qū)動一個功率MOSFET的電路。當(dāng)M1開通，M2關(guān)掉的時候，電源VCC通過M1和Rg給Cgs，Cgd充電，從而使MOSFET開通，其充電簡化電路見圖2。
2022-12-06 13:55:261459 基于模型的 GAN PA 設(shè)計基礎(chǔ)知識：GAN 晶體管 S 參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
2022-12-26 10:16:211645 
基于模型的 GaN PA 設(shè)計基礎(chǔ)知識：內(nèi)部電流-電壓 (I-V) 波形的定義及其必要性
2022-12-26 10:16:231149 
GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進(jìn)行 GaN PA 設(shè)計？（第一部分，共兩部分）
2022-12-26 10:16:25805 
基于模型的 GaN PA 設(shè)計基礎(chǔ)知識：I-V 曲線中有什么？（第二部分，共兩部分）
2022-12-26 10:16:251182 
您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅(qū)動它。圖 1 顯示了用于驅(qū)動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212337 
賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊基于先進(jìn)的TCAD仿真設(shè)計平臺開發(fā)出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫，并系統(tǒng)地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結(jié)構(gòu)對GaN基垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL）電學(xué)和熱學(xué)特性的影響。
2023-06-07 13:49:03271 
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來評估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會引起結(jié)合點的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分
2022-04-08 10:26:22900 
只有正確理解壓力傳感器的接線方法，才能減少傳感器在運(yùn)行過程中的誤差，否則容易造成U5365-000015-05KPG傳感器損壞，影響測量精度。
2023-06-06 18:12:05380 
GaN為何物？應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢？ GaN, 全名氮化鎵（Gallium Nitride），是一種半導(dǎo)體材料，被廣泛用于新一代電力電子設(shè)備中。相比傳統(tǒng)
2023-11-07 10:21:41270 GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？GaN驅(qū)動電路有哪些設(shè)計技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電子遷移率和能力，因此在功率電子領(lǐng)域有著廣泛
2023-11-07 10:21:44513 如何正確理解運(yùn)算放大器輸入失調(diào)電壓？
2023-12-07 11:05:11227 
許多人對失效時間均勻分布（MTBF）的計算方法存在誤解，為了幫助解釋這個常常被誤解的話題，ZVEI寫作了一份指南，目的是通過使用實際例子展示各種MTBF協(xié)議之間的差異和相似之處，幫助解釋MTBF數(shù)值是如何推導(dǎo)和應(yīng)用的。MTBF計算是一個非常有用的工具，用來設(shè)計高度可靠的電源，并為全新產(chǎn)品提供長期保修，同時也允許用戶提前評估其系統(tǒng)的預(yù)期壽命并制定必要的維護(hù)或更換計劃。如何應(yīng)用MTBF值，可以作為進(jìn)一步計算或評估的基礎(chǔ)，具體確定在領(lǐng)域中已知數(shù)量的產(chǎn)品中每年的故障數(shù)。如果給定的MTBF值適用于特定應(yīng)用和環(huán)境條件，這個計算才能有效應(yīng)用。
2024-01-05 09:19:39234 
在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能，已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基系統(tǒng)的游戲規(guī)則改變者，與傳統(tǒng)硅 MOSFET 相比，它具有卓越的耐輻射能力和無與倫比的電氣性能。
2024-02-26 17:23:14220 
更好的理解這兩種功率形式，快來一起學(xué)習(xí)吧。一、定義闡述有功功率與無功功率01有功功率：是指用電設(shè)備用于做功所需的電功率，其產(chǎn)生的電能將通過用電設(shè)備轉(zhuǎn)換為其他形式能量
2024-03-20 08:21:4457 
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