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由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢,GaN 充電器的運行速度,比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優勢在于高效率、低損耗與高頻率,GaN 材料的這一特性令其在充電器行業大放異彩。
2023-04-25 15:08:212337

最新成果展示:AlInN/GaN DBR模型數據庫的開發與應用

賽米卡爾科技有限公司技術團隊基于先進的TCAD仿真設計平臺開發出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數據庫,并系統地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結構對GaN基垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)電學和熱學特性的影響。
2023-06-07 13:49:03271

如何正確理解功率循環曲線

近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業的廣泛關注,特別是風力發電、軌道交通等應用領域。IGBT的可靠性通常用以芯片結溫變化為衡量目標的功率循環曲線和基板溫度變化為衡量目標的溫度循環曲線來評估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數不同的材料焊接在一起,工作過程中溫度的變化會引起結合點的老化,以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮;另外綁定線的成分
2022-04-08 10:26:22900

U5365-000015-05KPG壓力傳感器正確接線方法

只有正確理解壓力傳感器的接線方法,才能減少傳感器在運行過程中的誤差,否則容易造成U5365-000015-05KPG傳感器損壞,影響測量精度。
2023-06-06 18:12:05380

應用于新一代電力電子的GaN相比于傳統的Silicon有何優勢?

GaN為何物?應用于新一代電力電子的GaN相比于傳統的Silicon有何優勢? GaN, 全名氮化鎵(Gallium Nitride),是一種半導體材料,被廣泛用于新一代電力電子設備中。相比傳統
2023-11-07 10:21:41270

GaN的驅動電路有哪些挑戰?怎么在技術上各個突破

GaN的驅動電路有哪些挑戰?怎么在技術上各個突破GaN驅動電路有哪些設計技巧? GaN(氮化鎵)是一種新型的半導體材料,相比傳統的硅材料,具有更高的電子遷移率和能力,因此在功率電子領域有著廣泛
2023-11-07 10:21:44513

如何正確理解運算放大器輸入失調電壓?

如何正確理解運算放大器輸入失調電壓?
2023-12-07 11:05:11227

電子失效性:正確理解MTBF

許多人對失效時間均勻分布(MTBF)的計算方法存在誤解,為了幫助解釋這個常常被誤解的話題,ZVEI寫作了一份指南,目的是通過使用實際例子展示各種MTBF協議之間的差異和相似之處,幫助解釋MTBF數值是如何推導和應用的。MTBF計算是一個非常有用的工具,用來設計高度可靠的電源,并為全新產品提供長期保修,同時也允許用戶提前評估其系統的預期壽命并制定必要的維護或更換計劃。如何應用MTBF值,可以作為進一步計算或評估的基礎,具體確定在領域中已知數量的產品中每年的故障數。如果給定的MTBF值適用于特定應用和環境條件,這個計算才能有效應用。
2024-01-05 09:19:39234

GaN在應用太空工業中的應用

在新一代電力電子技術領域,氮化鎵(GaN)技術因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能,已成為太空任務的革命性突破的關鍵。氮化鎵 (GaN) 技術已成為天基系統的游戲規則改變者,與傳統硅 MOSFET 相比,它具有卓越的耐輻射能力和無與倫比的電氣性能。
2024-02-26 17:23:14220

如何正確理解有功功率與無功功率

更好的理解這兩種功率形式,快來一起學習吧。一、定義闡述有功功率與無功功率01有功功率:是指用電設備用于做功所需的電功率,其產生的電能將通過用電設備轉換為其他形式能量
2024-03-20 08:21:4457

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