日本的SiC相關業務目前正在迅速增長。SiC與現有的硅（Si）相比可大幅削減電力損耗，因此作為新一代功率半導體材料備受關注。但此前，SiC功率元件在成本和特性方面還存在一些問題，因此只在部分用途得到了采用。為改善這種狀況，以日本企業為中心，擴大SiC相關業務的動向日益活躍。

　　其中比較積極的是羅姆公司。該公司是首家投產SiC肖特基勢壘二極管（SBD）和SiC MOSFET的日本企業。而且，羅姆還宣布從2012年3月開始“全球首次量產”晶體管和二極管都采用SiC的“全SiC”功率模塊（以下簡稱全SiC模塊）（圖1）。

　　圖1：開始量產全SiC功率模塊

　　配備SiC SBD和SiC MOSFET的全SiC功率模塊的額定電壓為1200V，額定電流為100A。（攝影：（a）羅姆）

　　在二極管中采用SiC的產品此前就有，但連晶體管也采用SiC的模塊此次還是首次實現產品化。羅姆介紹說，之所以能率先量產全SiC模塊，“主要是因為已經投產了SiC MOSFET”。截至2012年3月，銷售SiC MOSFET的企業只有美國的科銳和日本的羅姆。

　　羅姆的全SiC模塊通過在二極管和晶體管兩種元件中采用SiC，大幅削減了電力損耗。與采用硅IGBT的功率模塊相比，可將開關損耗減小85％。

　　此外，還可實現100kHz以上的高速開關，開關頻率是硅IGBT模塊的10多倍。

　　目前，羅姆量產的全SiC模塊只有額定電壓為1200V、額定電流為100A的一款產品。據羅姆介紹，雖然額定電流只有100A，但由于實現了高速開關和低損耗，可以替換額定電流為200～400A的硅IGBT模塊。替換400A級的硅IGBT模塊時，估計體積能削減約50％。

　　羅姆介紹說，全SiC模塊的價格目前還很高，是硅IGBT模塊的“3～5倍” ，但計劃在數年內將價格降至硅IGBT模塊的2倍左右。