近期,2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
2024-03-18 10:52:32338 利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:4667 為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā),提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376 潮,令800V平臺(tái)、SiC電驅(qū)開始打進(jìn)20萬內(nèi)的市場(chǎng),SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場(chǎng)上普及。 ? 最近兩家國內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車規(guī)級(jí)認(rèn)證,這將繼續(xù)推動(dòng)SiC功率器件量產(chǎn)上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布,由公司開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)
2024-03-13 01:17:002631 IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40496 采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊,會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗,無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能;SiC功率模塊雜散參數(shù)較大,可靠性不高。 (2)SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:49130 Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET,從而簡化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。
2024-02-29 12:50:34139 2月26日,據(jù)鹽城市建湖縣人民政府網(wǎng)信息,芯干線投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及智能功率模塊封測(cè)項(xiàng)目,將抓緊做好設(shè)備訂購調(diào)試,盡快實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。
2024-02-28 15:15:05389 Qorvo SiC E1B模塊Qorvo SiC E1B模塊采用獨(dú)特的共源共柵電路,常開SiC JFET與Si MOSFET共同封裝,形成常關(guān)SiC FET。Qorvo SiC E1B具有類硅柵
2024-02-26 14:00:25
SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ,展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 近日,浙江晶能微電子有限公司與嘉興國家高新區(qū)成功簽約,共同打造一項(xiàng)總投資約人民幣10億元的SiC半橋模塊制造項(xiàng)目。該項(xiàng)目由晶能微電子攜手星驅(qū)技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同出資設(shè)立,專注于車規(guī)SiC半橋模塊的研發(fā)與生產(chǎn)。
2024-02-18 17:21:57583 隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體材料在電子工業(yè)中的地位日益凸顯。其中,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì),在高溫、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。SiC晶片作為SiC器件
2024-02-05 09:37:27522 為設(shè)備的主要電源或備用電源,提供穩(wěn)定的直流電壓和電流。 2. 電池充放電管理:通信設(shè)備往往需要配備電池作為備用電源,以應(yīng)對(duì)斷電等情況。DC電源模塊可用于對(duì)電池進(jìn)行充電和放電管理,保障電池的性能和壽命。 3. 電壓轉(zhuǎn)換:通信設(shè)備中不同模塊和電子元器
2024-01-31 13:26:08148 本文為各位介紹太陽誘電高可靠性元件-信息基礎(chǔ)太陽誘電高可靠性元件-信息基礎(chǔ)設(shè)備·工業(yè)設(shè)備用途設(shè)備·工業(yè)設(shè)備用途的分類、特點(diǎn)&優(yōu)勢(shì)、基礎(chǔ)信息等。
2024-01-06 15:12:07515 和導(dǎo)電性的要求外,更能提高 IPM 芯片密度的設(shè)計(jì),并配合未來銅燒結(jié)鍵合的方向,有效幫助 SiC 模塊充分發(fā)揮高功率的性能。
2024-01-03 14:04:45230 關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動(dòng)回路/電容器
通過SiC門驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24116 什么是工業(yè)級(jí)光模塊?與商業(yè)級(jí)光模塊有什么區(qū)別?工業(yè)級(jí)光模塊可以當(dāng)作商業(yè)級(jí)光模塊使用嗎? 工業(yè)級(jí)光模塊是一種專為工業(yè)環(huán)境設(shè)計(jì)的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備,主要用于數(shù)據(jù)傳輸、通信和工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中的光纖通信
2023-12-27 10:56:38298 SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅(SiC)材料制造的電子元件,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些明顯的區(qū)別。 首先,讓我們來了解一下SiC材料
2023-12-21 11:31:24274 摘 要:針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題,給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法,并提供了具體的估算公式。以30kW DC/DC變換器為研究對(duì)象,對(duì)功率模塊
2023-12-14 09:37:05471 瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上:主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS,助力廠家及品牌,打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:56:42207 瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上:主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS,助力廠家及品牌,打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:33:13194 CAN光纖模塊(Controller Area Network Fiber Optic Module)是一種用于工業(yè)通信的設(shè)備,它可以通過光纖傳輸CAN信號(hào)。 CAN光纖模塊在工業(yè)項(xiàng)目中可以應(yīng)用于
2023-11-27 08:35:01155 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 電動(dòng)汽車市場(chǎng)正在增長,包括自動(dòng)駕駛輔助系統(tǒng)、ADAS以及汽車安全領(lǐng)域,在工業(yè)市場(chǎng)方面,能源基礎(chǔ)設(shè)施,尤其關(guān)注充電站和充電基礎(chǔ)設(shè)施,也倍受重視。SiC憑借其高耐壓、低導(dǎo)通損耗
2023-11-20 19:15:01443 SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢(shì),使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 UPS電源的備用延時(shí)時(shí)間指什么? UPS電源的備用延時(shí)時(shí)間是指在停電或電網(wǎng)故障情況下,UPS電池能夠提供電能的持續(xù)時(shí)間。它是UPS電源系統(tǒng)性能的重要指標(biāo)之一,對(duì)于保證設(shè)備正常運(yùn)行和數(shù)據(jù)的安全性
2023-11-09 16:53:36560 隨著網(wǎng)絡(luò)需求的不斷增長,千兆光模塊和萬兆光模塊成為了網(wǎng)絡(luò)通信中不可或缺的組件。但是,如何實(shí)現(xiàn)這些高速光模塊的量產(chǎn)卻是廠家們面臨的難題。本文將介紹千兆光模塊和萬兆光模塊的生產(chǎn)工藝差異和技術(shù)挑戰(zhàn),并探討廠家如何實(shí)現(xiàn)千兆和萬兆的大規(guī)模量產(chǎn)。
2023-11-06 14:56:40218 煤礦重要設(shè)備用電監(jiān)測(cè)子系統(tǒng)是一種針對(duì)煤礦重要設(shè)備進(jìn)行電力監(jiān)測(cè)和管理的系統(tǒng)。通過建立重點(diǎn)煤礦建設(shè)重要設(shè)備用電監(jiān)測(cè)子系統(tǒng),提高煤礦的智能分析水平,督促煤礦企業(yè)提前防范化解重大安全風(fēng)險(xiǎn),并進(jìn)一步提升應(yīng)急
2023-11-06 14:03:43342 本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局,以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等,探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因,助力車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:30296 Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:26292 下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列,進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅(SiC)的獨(dú)特電氣優(yōu)勢(shì)需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù),Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:36372 實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)和穩(wěn)定銷售,主要應(yīng)用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、通訊電源等大功率、高頻、高效率領(lǐng)域。
附:華潤微電子SiC SBD產(chǎn)品列表
附:華潤微電子SiC SBD料號(hào)列舉
650V SiC
2023-10-07 10:12:26
無線通信模塊是一種可以通過WiFi網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸和通信的設(shè)備,主要用于實(shí)現(xiàn)無線網(wǎng)絡(luò)連接。一般情況下,無線通信模塊包括集成了MCU的芯片和無線模塊兩個(gè)部分,通過這兩部分的協(xié)同工作,實(shí)現(xiàn)了設(shè)備之間
2023-09-22 16:40:01502 無線局域網(wǎng)模塊 WKM320AA1 是加賀富儀艾電子最適合工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的無線模塊,可用于如M2M包括機(jī)器人控制、條形碼掃描手持終端等,以及環(huán)境和能源市場(chǎng),如照明控制的HEMS、智能電表等。
2023-09-22 16:39:26524 ?
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14351 工業(yè)設(shè)備遠(yuǎn)程調(diào)試的方法。 一、工業(yè)設(shè)備遠(yuǎn)程調(diào)試的技術(shù)架構(gòu) 遠(yuǎn)程調(diào)試技術(shù)主要由現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備、數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)傳輸模塊、遠(yuǎn)程控制模塊四部分組成。現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備負(fù)責(zé)采集設(shè)備的運(yùn)行數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)采集模塊對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理、分析、存儲(chǔ),數(shù)
2023-09-14 10:03:02494 賽晶科技表示,為電動(dòng)汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊,導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ(@25℃),可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng),并滿足電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 ” 。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 類似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC
2023-08-31 17:40:07254 ”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? 類似上述的工業(yè)
2023-08-29 15:26:55903 隨著工業(yè)自動(dòng)化的快速發(fā)展,電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,DC電源模塊已經(jīng)成為了工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中的重要組成部分之一。DC電源模塊廣泛應(yīng)用于各種自動(dòng)化設(shè)備中,如PLC、DCS、機(jī)器人、變頻器等。本文將從以下幾個(gè)方面詳細(xì)介紹DC電源模塊在工業(yè)自動(dòng)化中的應(yīng)用。
2023-08-25 10:27:26395 JK600系列通信設(shè)備用高分子PTC自復(fù)保險(xiǎn)絲JK600系列通信設(shè)備用自復(fù)保險(xiǎn)絲是專門為通信交換機(jī)、配線架設(shè)計(jì)生產(chǎn)的過流保護(hù)器件。該系列產(chǎn)品多次經(jīng)信息產(chǎn)業(yè)部(原郵電部)防護(hù)產(chǎn)品測(cè)試中心
2023-08-22 16:34:24
據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),截至2023年上半年,全球已有40款SiC車型進(jìn)入量產(chǎn)交付,結(jié)合公開數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),上半年全球SiC車型銷量超過120萬輛。值得注意的是,目前SiC核心器件主要由歐美企業(yè)供應(yīng),中國少數(shù)
2023-08-11 17:07:36465 本文為各位介紹太陽誘電高可靠性元件-信息基礎(chǔ)設(shè)備·工業(yè)設(shè)備用途的分類、特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)】: · 多層陶瓷電容器 容量大/高耐壓/體積小巧 · 導(dǎo)電性高分子混合鋁電解電容器 低ESR/可耐電壓高/使用壽命
2023-08-06 21:06:56185 工業(yè)領(lǐng)域?無線模塊物聯(lián)網(wǎng)(IoT)無線模塊在工業(yè)及工廠領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用,它為設(shè)備和系統(tǒng)之間的通信提供了關(guān)鍵性的連接。其應(yīng)用范圍非常廣泛:例如設(shè)備監(jiān)測(cè)和診斷、生產(chǎn)過程優(yōu)化、安全和環(huán)境監(jiān)測(cè)、能源管理
2023-07-31 22:42:02496 三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始。
2023-07-20 11:20:001124 近年來,隨著各行各業(yè)對(duì)生產(chǎn)效率和產(chǎn)能優(yōu)化需求的提升,越來越多的行業(yè)生產(chǎn)場(chǎng)景紛紛引入工業(yè)掃碼模塊。無論是在電子制造、生產(chǎn)流水線還是物流行業(yè),工業(yè)掃碼模塊都扮演著重要的角色。現(xiàn)在從事掃碼模塊開發(fā)的廠家
2023-07-17 15:57:46365 點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布, 推出最新一代 [1] 用于工業(yè)設(shè)備的碳化硅 ( SiC ) 肖特基勢(shì)壘二極管 ( SBD
2023-07-13 17:40:02184 外媒在報(bào)道中提到,根據(jù)公布的計(jì)劃,三星電子將在2025年開始,采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片,2026年開始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片,2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458 1月5日,比亞迪發(fā)布會(huì)重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型:比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控,時(shí)隔2年,比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布了高端汽車品牌“仰望”,該品牌的兩款量產(chǎn)車型也同步亮相同步亮相,包括硬派越野 U8 和性能超跑 U9 。
2023-06-29 16:53:26441 瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV1Q12160D7Z),該產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:483174 89PES24N3 設(shè)備用戶手冊(cè)
2023-06-26 20:48:290 89PES12N3 設(shè)備用戶手冊(cè)
2023-06-26 20:48:180 科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月,科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn),打破了國際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342 Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月13日)宣布,將于6月14日開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊的樣品。該模塊降低了內(nèi)部電感,并集成了第二代SiC芯片,有望幫助實(shí)現(xiàn)更高效、更小型、更輕量的工業(yè)設(shè)備。
2023-06-15 11:16:28748 工業(yè)設(shè)備。樣品于5月31日開始發(fā)售。該新結(jié)構(gòu)芯片有望幫助實(shí)現(xiàn)鐵路牽引等電氣系統(tǒng)的小型化和節(jié)能化,促進(jìn)直流輸變電的普及,從而為實(shí)現(xiàn)碳中和做出貢獻(xiàn)。
2023-06-09 11:20:09365 當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304 針對(duì)SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題,文章首先對(duì)3種測(cè)量差分探頭的參數(shù)和測(cè) 量波形進(jìn)行對(duì)比,有效減小測(cè)量誤差;然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負(fù)向峰值過大 的原因
2023-06-05 10:14:211831 在自動(dòng)化設(shè)備的制造過程中,需要使用到大量的多芯防水連接器,以便實(shí)現(xiàn)各個(gè)設(shè)備之間的互聯(lián)互通。為了保障設(shè)備的正常工作,連接器的質(zhì)量必須得到高度的保證,否則將會(huì)對(duì)設(shè)備的性能和穩(wěn)定性帶來很大的影響。其中,自動(dòng)化設(shè)備用多芯防水連接器就是必不可少的一種。
2023-06-01 12:53:51345 近日,賽晶首款車規(guī)級(jí)SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國紐倫堡電子展(PCIM Europe 2023),引發(fā)國內(nèi)外與會(huì)專家、客戶的廣泛關(guān)注。HEEV封裝SiC模塊來自高效電動(dòng)汽車模塊平臺(tái)
2023-05-31 16:49:15351 遠(yuǎn)程IO模塊主要用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)采集模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào),而且還可以輸出模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)來控制設(shè)備。可以擴(kuò)展PLC、采集儀器儀表等數(shù)據(jù)處理設(shè)備的輸入和輸出口,比如一個(gè)PLC只有有10個(gè)模擬輸入接口,但是
2023-05-29 08:46:07808 MxxxT 工業(yè)遠(yuǎn)程以太網(wǎng) I/O 數(shù)據(jù)采集模塊是一款高性能的工業(yè)設(shè)備,它內(nèi)嵌了 32 位的微處理器 MCU,并集成了 1 個(gè)工業(yè)級(jí)的 10/100M 自適應(yīng)以太網(wǎng)接口,支持標(biāo)準(zhǔn)的 Modbus
2023-05-23 18:01:15628 問問can總線 以太網(wǎng)轉(zhuǎn)換設(shè)備用UDP模式通訊更快是因?yàn)槭裁茨兀?
2023-05-17 16:21:32
2023年5月8日,三菱電機(jī)宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品,該半橋模塊額定電壓為3.3kV,絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路
2023-05-11 09:26:17833 89PES24N3 設(shè)備用戶手冊(cè)
2023-05-06 19:02:260 89PES12N3 設(shè)備用戶手冊(cè)
2023-05-06 19:02:080 89PES8T5 設(shè)備用戶手冊(cè)
2023-04-27 19:10:570 89PES16T7 設(shè)備用戶手冊(cè)
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2023-04-27 19:09:320 89PES16NT2 初級(jí)設(shè)備用戶手冊(cè)
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2023-04-26 19:49:500 89PES48T12 設(shè)備用戶手冊(cè)
2023-04-26 19:49:330 89PES48H12 設(shè)備用戶手冊(cè)
2023-04-26 19:49:140 隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,硅碳化物(SiC)功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能,為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-23 14:33:22840 阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí),與現(xiàn)有SiC MOSFET相比,這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1],可將導(dǎo)通電阻[2](RonA)降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能,降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
技術(shù)領(lǐng)域都擁有強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì),雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后,通過將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合,雙方將能夠提供滿足市場(chǎng)需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案,從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。
2023-03-29 15:06:13
SIC431DED-T1-GE3
2023-03-28 14:50:25
SIC789CD-T1-GE3
2023-03-28 13:48:55
SIC639ACD-T1-GE3
2023-03-28 13:15:17
SIC438BED-T1-GE3
2023-03-28 13:10:35
電氣化正在推動(dòng)SiC半導(dǎo)體的增長,由于其具備快速開關(guān)能力、更低的功率損耗和更高的溫度性能,電動(dòng)汽車、可持續(xù)發(fā)展和工業(yè)等大型細(xì)分市場(chǎng)都轉(zhuǎn)向SiC電源解決方案。為了幫助電源設(shè)計(jì)工程師輕松、快速和放心
2023-03-25 06:40:02450
評(píng)論
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