場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，是較新型的半導(dǎo)體材料，利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管的電流，因而得名。它只有一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來(lái)劃分，它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。從場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)來(lái)劃分，它有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管之分。
1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
（1） 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如下圖所示，它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個(gè)PN結(jié)，形成兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個(gè)P區(qū)即為柵極，N型硅的一端是漏極，另一端是源極。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖
（2） 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理
以N溝道為例說(shuō)明其工作原理。
當(dāng)VGS=0時(shí)，在漏、源之間加有一定電壓時(shí)，在漏源間將形成多子的漂移運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生漏極電流。當(dāng)VGS《0時(shí)，PN結(jié)反偏，形成耗盡層，漏源間的溝道將變窄，ID將減小，VGS繼續(xù)減小，溝道繼續(xù)變窄，ID繼續(xù)減小直至為0。當(dāng)漏極電流為零時(shí)所對(duì)應(yīng)的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VGS （off）。
（3）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線有兩條，
一是輸出特性曲線（ID=f（VDS）| VGS=常量），
二是轉(zhuǎn)移特性曲線（ID=f（VGS）|VDS =常量）。
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線如下圖所示。
（a） 漏極輸出特性曲線 （b） 轉(zhuǎn)移特性曲線
N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線
2. 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)三極管的工作原理
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)三極管分為：
耗盡型→N溝道、P溝道
增強(qiáng)型→N溝道、P溝道
（1）N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
N溝道耗盡型的結(jié)構(gòu)和符號(hào)如下圖（a）所示，它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。所以當(dāng)VGS=0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道。于是，只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。當(dāng)VGS》0時(shí)，將使ID進(jìn)一步增加。VGS《0時(shí)，隨著VGS的減小漏極電流逐漸減小，直至ID=0。對(duì)應(yīng)ID=0的VGS稱為夾斷電壓，用符號(hào)VGS （off）表示，有時(shí)也用VP表示。
N溝道耗盡型的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖（b）所示。
（a） 結(jié)構(gòu)示意圖 （b） 轉(zhuǎn)移特性曲線
（2）N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，結(jié)構(gòu)與耗盡型類似。但當(dāng)VGS=0 V時(shí)，在D、S之間加上電壓不會(huì)在D、S間形成電流。當(dāng)柵極加有電壓時(shí)，若VGS》VGS （th）時(shí)，形成溝道，將漏極和源極溝通。如果此時(shí)加有漏源電壓，就可以形成漏極電流ID。在VGS=0V時(shí)ID=0，只有當(dāng)VGS》VGS （th）后才會(huì)出現(xiàn)漏極電流，這種MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管。
VGS（th）——開啟電壓或閥電壓;
（3）P溝道增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET
P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同，只不過(guò)導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。