3 場效應管伏安特性曲線
場效應管的特性曲線類型比較多，根據導電溝道的不同以及是增強型還是耗盡型可有四種轉移特性曲線和輸出特性曲線，其電壓和電流方向也有所不同。如果按統一規定的正方向，特性曲線就要畫在不同的象限。為了便于繪制，將P溝道管子的正方向反過來設定。有關曲線繪于下圖之中。
4.各種場效應管特性比較
（a） 轉移特性曲線 （b） 輸出特性曲線
5.場效應管的主要參數
① 開啟電壓VGS（th） （或VT）
開啟電壓是MOS增強型管的參數，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值，場效應管不能導通。
② 夾斷電壓VGS（off） （或VP）
夾斷電壓是耗盡型FET的參數，當VGS=VGS（off） 時，漏極電流為零。
③ 飽和漏極電流IDSS
耗盡型場效應三極管，當VGS=0時所對應的漏極電流。
④ 輸入電阻RGS
場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結型場效應三極管，反偏時RGS約大于107Ω，對于絕緣柵場型效應三極管，RGS約是109～1015Ω。
⑤ 低頻跨導gm
低頻跨導反映了柵壓對漏極電流的控制作用，這一點與電子管的控制作用十分相像。gm可以在轉移特性曲線上求取，單位是mS（毫西門子）。
⑥ 最大漏極功耗PDM
最大漏極功耗可由PDM=VDS ID決定，與雙極型三極管的PCM相當。