--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 電源電壓范圍 2.7 V 至 24 V
- 寬結(jié)溫范圍 -40 °C 至 170 °C
- 典型 BON 開啟點 5.5 mT 在室溫下
- 典型BOFF 關(guān)閉點 3.7 mT 在室溫下
- 典型溫度系數(shù) -1000 ppm/K 在室溫下
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
HAL1503SU-A是由 TDK-Micronas GmbH 生產(chǎn)的一款高性能霍爾效應(yīng)開關(guān),具備開漏輸出(3線)并封裝在 SOT23 封裝中。以下是該產(chǎn)品的詳細介紹,包括其描述、特性和應(yīng)用領(lǐng)域。
描述
HAL1503SU-A 是 HAL 15xy 霍爾開關(guān)系列的一部分,采用 CMOS 技術(shù)生產(chǎn)的三線設(shè)備,具有開漏輸出晶體管。該設(shè)備包括一個溫度補償霍爾板、一個比較器和一個輸出級。比較器將通過霍爾板的實際磁通量(霍爾電壓)與固定參考值(開關(guān)點)進行比較,據(jù)此打開或關(guān)閉輸出晶體管。主動偏移補償確保了在電源電壓和溫度范圍內(nèi)恒定的磁性特性,并且對機械應(yīng)力效應(yīng)具有魯棒性。
特性
- 封裝類型:SOT23-3L JEDEC TO236 兼容封裝。
- ISO 26262 合規(guī)性:作為 ASIL B 準備設(shè)備符合 ISO 26262 標(biāo)準。
- 輸出保護:短路保護的開漏輸出和熱關(guān)閉。
- 低電流消耗:典型值 1.6 mA。
- 電源電壓范圍:2.7 V 至 24 V。
- 過壓保護能力:高達 40 V。
- 反向電壓保護 VSUP 引腳:-18 V。
- 高 ESD 性能:±8 kV (HBM)。
- 診斷特性:上電自檢。
- 采樣頻率:500 kHz,2 μs 輸出刷新時間。
- 工作磁場:靜態(tài)和動態(tài)磁場高達 12 kHz。
- 機械應(yīng)力高抗性:通過主動偏移補償實現(xiàn)。
- 寬電源電壓和溫度范圍內(nèi)恒定的開關(guān)點。
- 寬結(jié)溫范圍:-40 °C 至 170 °C。
- 內(nèi)置溫度系數(shù)。
- 優(yōu)化:適用于極端汽車和工業(yè)環(huán)境的應(yīng)用。
- AEC-Q100 測試標(biāo)準:為汽車電子行業(yè)提供高質(zhì)量性能。
- EMC 性能:符合不同標(biāo)準,如 ISO 7637、ISO 16750、IEC 61967、ISO 11452 和 ISO 62132。
應(yīng)用
HAL1503SU-A 傳感器因其高靈敏度和可靠性,適用于多種汽車和工業(yè)應(yīng)用,包括但不限于:
- 離合器位置檢測
- 電子駐車制動
- 制動燈開關(guān)
- 制動踏板位置檢測
- 方向盤鎖
- 門把手
磁性特性
- 開關(guān)類型:單極性
- 高靈敏度
- 典型 BON(開啟點):5.5 mT 在室溫下
- 典型 BOFF(關(guān)閉點):3.7 mT 在室溫下
- 工作磁場:靜態(tài)磁場和動態(tài)磁場高達 12 kHz
- 典型溫度系數(shù):-1000 ppm/K 在室溫下
為你推薦
-
TTElectronics/Semelab D2225UK 高性能硅DMOS射頻場效應(yīng)管(RFFET)2024-09-14 15:01
產(chǎn)品型號:D2225UK 最大工作電壓:12.5V 最大工作電流:4A 工作頻率:1MHz到1GHz 最大功率:5W 增益:最小增益為10dB -
TTElectronics/Semelab D2213UK 高性能硅DMOS射頻場效應(yīng)管(RFFET)2024-09-14 14:59
產(chǎn)品型號:D2213UK 工作頻率:1MHz到2GHz 最大工作電壓:12.5V 最大工作電流:8A 最大功率:20W 增益:最小增益為10dB -
TTElectronics/Semelab D2205UK 高性能硅DMOS射頻場效應(yīng)管(RFFET)2024-09-14 14:57
產(chǎn)品型號:D2205UK 工作頻率:1MHz到1GHz 最大工作電壓:40V 最大工作電流:6A 最大功率:7.5W 增益:最小增益為10dB -
TTElectronics/Semelab D2001UK 高性能硅DMOS射頻場效應(yīng)管(RFFET)2024-09-14 14:55
產(chǎn)品型號:D2001UK 最大工作電壓:65V 工作頻率:50MHz到1GHz 最大工作電流:1A 最大功率:2.5W 增益:最小增益為13dB -
TTElectronics/Semelab D1023UK 高性能硅DMOS射頻場效應(yīng)管(RFFET)2024-09-14 14:53
產(chǎn)品型號:D1023UK 最大工作電壓: 70V 工作頻率:1MHz到175MHz 最大工作電流: 15A 最大功率:60W 增益:最小增益為10dB -
TTElectronics/Semelab D1020UK 高性能硅DMOS射頻場效應(yīng)管(RFFET)2024-09-14 14:51
產(chǎn)品型號:D1020UK 最大工作電流:25mA 最大功率:389W 增益:最小增益為10dB 工作頻率: 1MHz到500MHz 最大工作電壓:70V -
TTElectronics/Semelab D1014UK 高性能硅DMOS射頻場效應(yīng)管(RFFET)2024-09-14 14:47
產(chǎn)品型號:D1014UK 工作頻率:1 MHz至500 MHz 最大工作電壓:70V 最大工作電流:10A 最大功率:87.5W 增益:12dB -
TTElectronics/Optek 光電傳感器 OPB620 透射型 槽型光電開關(guān) 2024-09-04 14:17
產(chǎn)品型號:OPB620 感應(yīng)距離:4.83mm 最小工作溫度:-40 最大工作溫度:100 產(chǎn)品種類:光學(xué)開關(guān) 波長:890nm -
TT/OPTEK 管式液體氣泡 1/8英寸 3.2mm 光電傳感器 OPB350W125Z2024-08-23 09:13
產(chǎn)品型號:OPB350W125Z 適合管徑:3.2mm 線長:610毫米 工作溫度范圍:-40℃ - +85℃ 電壓:5V 系列:OPB350 -
TT/OPTEK OPB933W51Z 光電傳感器 透射型 槽型光電開關(guān)2024-08-22 09:16
產(chǎn)品型號:OPB933W51Z 供電電壓:4.75 - 5.25 V 槽寬:3.18毫米 供電電流:15 mA 滯后電壓:2.0 V 工作溫度范圍:-40°C至+70°C
-
上傳時間:2024-08-22 09:14
0次下載 -
上傳時間:2024-08-19 09:27
0次下載 -
上傳時間:2024-08-19 09:14
0次下載 -
上傳時間:2024-08-09 08:57
0次下載