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TTElectronics/Semelab D2205UK 高性能硅DMOS射頻場效應管(RFFET)

型號: D2205UK
品牌: TT Electronics(TT)

--- 產品參數 ---

  • 工作頻率 1MHz到1GHz
  • 最大工作電壓 40V
  • 最大工作電流 6A
  • 最大功率 7.5W
  • 增益 最小增益為10dB

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

描述

D2205UK是由Semelab plc生產的一款金層化多功能硅DMOS射頻場效應管(RF FET),專為7.5W功率范圍內的應用設計,適用于12.5V以下的電壓,并且能夠處理高達1GHz的頻率。這款產品以其高增益和低噪聲特性,非常適合用于VHF/UHF通信領域。

 

特性

  • 簡化的放大器設計:D2205UK的設計允許簡化放大器的電路設計,減少組件數量和復雜性。
  • 寬帶應用:適用于1MHz到1GHz的VHF/UHF通信。
  • 低Crss:低交叉電容有助于減少信號失真,提高放大器的性能。
  • 簡單的偏置電路:簡化的偏置設計使得產品更容易集成到現有電路中。
  • 低噪聲:低噪聲特性使其非常適合高保真度的通信系統。
  • 高增益:至少10dB的最小增益,確保信號的有效放大。
  • 符合RoHS標準:產品符合歐盟關于限制有害物質使用的法規。

 

應用

D2205UK的應用領域廣泛,主要包括:

  • VHF/UHF通信:在1MHz到1GHz的頻率范圍內,適用于各種通信系統。
  • 金屬柵射頻硅場效應管:采用先進的金屬柵技術,提供更好的性能和可靠性。
  • TetraFET技術:利用TetraFET技術,提供更高的功率處理能力和更優的熱性能。

 

電氣特性

  • 最大漏極電流:6A
  • 漏源擊穿電壓:40V
  • 柵源擊穿電壓:±20V
  • 存儲溫度:-65°C至150°C
  • 最大工作結溫:200°C

 

機械數據

  • 封裝類型:金層化多功能硅DMOS射頻場效應管
  • 引腳配置:包括源極、漏極和柵極等
  • 尺寸:詳細尺寸數據在產品數據手冊中有詳細描述

 

危險物質警告

D2205UK的陶瓷部分含有氧化鈹,氧化鈹粉塵具有高毒性。在處理和安裝時必須小心,避免損壞該區域。

 

總結

D2205UK是一款高性能的射頻場效應管,適用于需要高增益、寬帶寬和低噪聲的應用。其簡化的設計和符合環保標準的特性使其成為通信和相關領域的理想選擇。

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