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TTElectronics/Semelab D1014UK 高性能硅DMOS射頻場效應管(RFFET)

型號: D1014UK
品牌: TT Electronics(TT)

--- 產品參數 ---

  • 工作頻率 1 MHz至500 MHz
  • 最大工作電壓 70V
  • 最大工作電流 10A
  • 最大功率 87.5W
  • 增益 12dB

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

描述

D1014UK是一款由Semelab plc生產的高性能硅DMOS射頻場效應管(RF FET),專為40W輸出功率、28V供電電壓、500MHz頻率范圍內的單端應用設計。這款產品采用了金屬化多用途硅DMOS技術,具備出色的射頻性能和可靠性,是高頻/甚高頻/超高頻通信系統中的理想選擇。

 

特性

  • 簡化的放大器設計:簡化了射頻放大器的設計流程,便于工程師快速實施。
  • 寬帶應用適用:適用于寬帶應用,覆蓋從1MHz到500MHz的頻率范圍。
  • 低Crss(反向傳輸電容):低Crss有助于減少放大器的寄生反饋,提高穩定性。
  • 1GHz下的有用功率輸出(PO):在1GHz頻率下仍能保持有效的功率輸出。
  • 低噪聲:低噪聲特性使其在接收機和低噪聲放大器應用中表現優異。
  • 高增益:最小增益為12dB,確保了信號的有效放大。

 

應用

  • HF/VHF/UHF通信:適用于1MHz至500MHz的通信系統,包括無線電廣播、無線通信和衛星通信。
  • 金屬柵射頻硅場效應管(MetaFET):采用先進的金屬柵技術,提供卓越的射頻性能。

 

電氣特性

  • 最大耗散功率:87.5W
  • 漏源擊穿電壓:70V,±20V
  • 漏極電流:在最大耗散功率條件下為10A
  • 存儲溫度:-65°C至150°C
  • 最大工作結溫:200°C

 

機械數據

  • 封裝:提供詳細的機械尺寸和公差,以確保與現有系統的兼容性。

 

熱數據

  • 結殼熱阻:最大2.0°C/W,確保有效的熱管理。

 

危險物質警告

  • 鈹氧化物:設備引腳和金屬法蘭之間的陶瓷部分含有鈹氧化物,其粉塵具有高毒性。在處理和安裝過程中需小心,避免損壞此區域。

 

環保合規

  • RoHS合規:產品符合歐盟限制有害物質使用的指令。

 

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