--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
VBsemi 7N40G-TA3-T-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該器件適用于需要高耐壓和低功率損耗的應用場合,通過Plannar技術設計,提供可靠的性能和穩定的工作特性。
### 二、詳細參數說明
| 參數 | 數值 |
|----------------------|---------------------|
| 封裝類型 | TO220 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 500V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.1V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 660mΩ @ VGS=10V |
| 連續漏極電流 (ID) | 13A |
| 技術 | Plannar |
### 三、應用領域和模塊示例
1. **工業電力控制**:
- 7N40G-TA3-T-VB 可以應用于工業電力控制系統中的高壓開關電源、電機驅動器和變頻器。其高耐壓特性和穩定的導通特性能夠確保設備在高電壓和大電流條件下的安全運行,適合工廠自動化和機械設備控制。
2. **電動化工程**:
- 在電動化工程中,如電動車充電樁和電動汽車電池管理系統,這款MOSFET可以用于直流-直流轉換器和高壓開關電路。其低導通電阻和高效率的能量轉換能力有助于提高充電效率和延長電池壽命。
3. **電源逆變器**:
- 在太陽能和風能等可再生能源的電源逆變器中,7N40G-TA3-T-VB 可以用作高壓開關管,用于電網連接逆變和電能存儲系統。其優異的耐壓性和低損耗設計有助于提高能源轉換效率和系統可靠性。
4. **高頻開關電源**:
- 該器件還適用于高頻開關電源和電源分配單元,如通信設備的功率放大器和基站電源管理。其快速響應和低開關損耗使其成為提高通信設備效能和可靠性的理想選擇。
通過這些應用示例,可以看出 VBsemi 7N40G-TA3-T-VB 在高壓、低功耗要求的多種應用場景中具有廣泛的適用性和優異的性能表現。
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