--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**7N80L-TF1-T-VB**是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。它采用SJ_Multi-EPI技術設計,具有高電壓承受能力和穩定性,適用于需要處理高電壓和中等功率的應用場合。
### 詳細參數說明
- **型號**: 7N80L-TF1-T-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 800V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊示例
1. **電源開關**
由于其高漏源電壓和穩定的導通特性,7N80L-TF1-T-VB適用于各種電源開關系統,特別是在工業設備和電力系統中。它能夠有效地控制和調節高電壓電源的開關,確保系統的穩定性和安全性。
2. **電動車充電樁**
在電動車充電樁中,這款MOSFET可以用作充電器的開關裝置,幫助管理和調節電動車的充電過程。其穩定的性能和高電壓容忍度使其成為電動車充電設備中的理想選擇。
3. **工業電源供應**
由于其適中的導通電阻和高電壓承受能力,7N80L-TF1-T-VB可用于工業電源供應系統中的各種功率轉換和控制任務。它可以用于電力傳輸、變頻器和其他工業設備的電源管理和調節。
4. **太陽能逆變器**
在太陽能逆變器中,這款MOSFET可以用作功率開關裝置,幫助將直流電轉換為交流電以供電網使用。其高電壓承受能力和穩定的導通特性使其能夠高效地轉換太陽能電池板產生的直流電。
通過以上示例,可以看出7N80L-TF1-T-VB適用于多種需要處理高電壓和中等功率的應用場合,為工程師在設計和實施電子系統時提供了可靠的解決方案。
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