--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、7N65-VB TO252 產品簡介
7N65-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術制造,封裝形式為TO252。具有高達650V的耐壓能力和低導通電阻特性,適合于需要高效能量轉換和穩定電源控制的應用場合。
### 二、7N65-VB TO252 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **耐壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **門限電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:500mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續漏極電流(ID)**:9A
- **技術**:SJ_Multi-EPI
### 三、7N65-VB TO252 應用領域和模塊示例
7N65-VB TO252 可以在多個領域和模塊中廣泛應用,以下是幾個典型的示例:
1. **電源逆變器**:
在太陽能逆變器和風力發電逆變器中,7N65-VB TO252 作為主要開關器件,用于將直流電轉換為交流電。其高耐壓能力和低導通電阻特性確保了高效率和穩定性。
2. **電動汽車充電樁**:
在電動汽車充電樁中,7N65-VB TO252 可用于電流控制和管理,確保充電過程的安全和高效。其耐壓能力和穩定的電性能使其適合于高壓充電環境的應用。
3. **工業電源模塊**:
在工業控制系統的電源模塊和變頻器中,7N65-VB TO252 提供了可靠的電源管理解決方案。其高電流處理能力和耐壓特性適合于處理大功率設備和高電壓環境。
4. **消費電子**:
在消費電子產品如LED驅動器和電源適配器中,7N65-VB TO252 提供了緊湊和高效的電力管理解決方案。其TO252封裝和SJ_Multi-EPI技術使其能夠適應各種緊湊型設計和功率需求較低的應用場景。
7N65-VB TO252 作為一款耐壓能力強、性能穩定的N溝道MOSFET,為各種高功率應用提供了可靠的功率控制和管理能力。
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