--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
聯(lián)訊儀器 S3022F 精密電源/測(cè)量單元是結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效的雙通道臺(tái)式電源/測(cè)量單元(SMU),能夠同時(shí)輸出并測(cè)量電壓和電流。這些功能使得 S3022F 成為既需要高分辨率,又需要高精度的各種 IV(電流與電壓)測(cè)量任務(wù)的理想選擇。聯(lián)訊儀器 S3022F 以適中的價(jià)格提供優(yōu)異的性能。它擁有寬泛的電壓源(±200V)和電流源(±3A直流和±10A脈沖)功能,出色的精度,6位半的顯示(最低100fA/100nV顯示分辨率)以及卓越的彩色LCD圖形用戶(hù)界面(GUI)。此外,它具有多種基于任務(wù)的顯示模式,顯著提高了測(cè)試、調(diào)試和表征的效率。
聯(lián)訊儀器 S3022F 還提供超高的測(cè)量吞吐量,并支持傳統(tǒng)的SMU SCPI 命令,讓測(cè)試代碼的遷移變得輕松快捷。SMU 可以集成到生產(chǎn)測(cè)試系統(tǒng)中使用,上述這些功能將會(huì)提高系統(tǒng)的測(cè)試效率并降低成本。
產(chǎn)品特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
特性 | 優(yōu)勢(shì) |
雙通道綜合四象限電源和測(cè)量功能 | 使用單臺(tái)儀器即可輕松準(zhǔn)確地測(cè)量電流和電壓,而無(wú)需手動(dòng)更改任何連接。 |
量程:±200V、±3A(直流)、±10A(脈沖) | 單臺(tái)SMU 產(chǎn)品即可同時(shí)滿(mǎn)足高電壓和大電流測(cè)量需求,從而推動(dòng)測(cè)量?jī)x器的標(biāo)準(zhǔn)化,并簡(jiǎn)化資產(chǎn)管理和支持工作。 |
最小測(cè)量分辨率可達(dá)100fA/100nV | 可以使用低成本的臺(tái)式 SMU 進(jìn)行低電平測(cè)量,而以前則需要使用昂貴的半導(dǎo)體器件分析儀。 |
高速測(cè)量 | 最高可支持1M的ADC采樣率,NPLC和采樣率可選設(shè)定。 |
4.3英寸彩色LCD電阻觸摸屏,提供了簡(jiǎn)單易用的前面板 GUI,支持圖形和數(shù)字視圖模式 | 可快速輕松地在前面板上進(jìn)行測(cè)量和顯示數(shù)據(jù),顯著加 速交互式測(cè)試、表征和調(diào)試操作。 |
免費(fèi)的PC端GUI控制軟件 | 無(wú)需編程即可從PC進(jìn)行遠(yuǎn)程測(cè)量和控制 |
支持傳統(tǒng)和默認(rèn)的 SCPI 命令 | 支持傳統(tǒng)的 SCPI 命令并可以部分兼容較舊的 SMU 代碼(例如 Keithley 2400系列),從而盡量減少代碼轉(zhuǎn)換工作。 |
單機(jī)/多機(jī)同步 | 純硬件高速同步,可現(xiàn)實(shí)多通道低時(shí)延同步。 |
數(shù)字IO | 可靈活配置純硬件高速I(mǎi)O,可實(shí)現(xiàn)閾值觸發(fā),從而實(shí)現(xiàn) 輸出測(cè)量值和用戶(hù)系統(tǒng)的高效交互。 |
緊湊的外形,配有USB2.0、LAN接口 | 輕松整合到機(jī)架和堆疊系統(tǒng)中。 |
產(chǎn)品應(yīng)用
聯(lián)訊儀器S3022F的應(yīng)用范圍十分廣泛,涵蓋從研發(fā)和教育到工業(yè)開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)測(cè)試和自動(dòng)化制造的各種用途。而且它無(wú)論獨(dú)立工作還是作為系統(tǒng)組件使用都發(fā)揮出色表現(xiàn)。
測(cè)試半導(dǎo)體、分立元器件和無(wú)源元器件
- 二極管、激光二極管、LED
- 光電探測(cè)器、傳感器
- 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、雙極結(jié)型晶體管(BJT)
- IC(模擬 IC、RFIC、MMIC 等)
- 電阻器、壓敏電阻、熱敏電阻、開(kāi)關(guān)
測(cè)試精密型電子和綠色能源器件
- 光伏電池
- 功率晶體管、功率器件
- 電池
- 汽車(chē)
- 醫(yī)療儀器
- 用于電路測(cè)試的電源和直流偏置電源
研究和教育
- 新型材料研究
- 納米器件表征(例如CNT)
- 巨磁電阻(GMR)
- 有機(jī)器件
- 任何精密電壓/電流源和測(cè)量
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低泄漏開(kāi)關(guān)矩陣 2023-07-18 16:05
產(chǎn)品型號(hào):RM1010-LLC 輸出通道數(shù)量:12/24/36/48 帶寬(@ -3dB):<10 MHz (C-V, HF Port) 建立時(shí)間:< 3.5s(10 V電壓輸入開(kāi)始到電流< 400 fA的時(shí) -
單通道 200V PXIe精密源表 2023-07-18 15:50
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30GHz 采樣示波器 DCA62012022-11-10 13:01
產(chǎn)品型號(hào):DCA6201 -
10GHz 采樣示波器 DCA42012022-11-10 12:10
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四通道 PXIe 精密電源/測(cè)量單元 S0342C2022-11-08 15:28
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單通道 PXIe 精密電源/測(cè)量單元 S2011C2022-11-08 15:21
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單通道精密電源/測(cè)量單元 S3012H2022-11-08 15:10
產(chǎn)品型號(hào):S3012H 通道數(shù):1 電壓:±200V 直流:±3A 脈沖:±10A 最小分辨率:100fA/100nV -
雙通道精密電源/測(cè)量單元 S3022F2022-11-08 14:36
產(chǎn)品型號(hào):S3022F
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新品 | 聯(lián)訊儀器全新推出低泄漏電流開(kāi)關(guān)矩陣RM1010-LLC2023-05-21 08:32
在半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)研發(fā)或者半導(dǎo)體晶圓封測(cè)過(guò)程中需要進(jìn)行電性能參數(shù)的表征,這些測(cè)量需要將精密源表(Source/MeasureUnit),LCR表(LCRMeter),數(shù)字萬(wàn)用表(DigitalMulti-Meter)等多種精密儀器組成自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng),測(cè)量非常低的電流,皮安或更小,測(cè)試系統(tǒng)中任何漏電流的存在都會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果造成很大影響。聯(lián)訊儀器低漏電流開(kāi)關(guān)矩陣R886瀏覽量 -
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全新升級(jí) | DCA6201-支持單波100G PAM4及50G PON眼圖測(cè)試2023-03-28 18:06
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聯(lián)訊儀器 | 推出25G/50G突發(fā)誤碼儀2022-12-04 09:18
聯(lián)訊rBT2250突發(fā)誤碼儀隨著10GPON網(wǎng)絡(luò)部署和實(shí)施,下一代50GPON網(wǎng)絡(luò)的標(biāo)準(zhǔn)也已經(jīng)完善:2018年,ITU/FSAN啟動(dòng)了基于單波長(zhǎng)50GPON標(biāo)準(zhǔn)的制定工作,命名為G.HSP(G.HigherSpeedPON)。2019年,50GPON的總體需求G.9804.1發(fā)布,明確了單波長(zhǎng)TDMPON架構(gòu),以及上下行速率組合,此外,50GPON需要滿(mǎn)足與 -
聯(lián)訊儀器 | CoC全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)CT62012022-12-02 09:17
“半導(dǎo)體激光器通常根據(jù)老化前(Pre-BurnIn)及老化后(PostBurn-In)測(cè)量的一個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵運(yùn)行參數(shù)的變化進(jìn)行篩選,剔除早期失效,提高產(chǎn)品可靠性,這些參數(shù)通常包括閾值電流,在特定工作條件下的輸出光功率,達(dá)到特定輸出光功率所需要的電流,斜線(xiàn)效率以及光譜特性等等。聯(lián)訊儀器CoC測(cè)試聯(lián)訊儀器全自動(dòng)CoC測(cè)試系統(tǒng)CT6201,與聯(lián)訊儀器BI6201老化 -
聯(lián)訊儀器 | CoC老化系統(tǒng)2022-11-30 09:14
“半導(dǎo)體激光器是光收發(fā)模塊核心器件,其穩(wěn)定性直接影響模塊的產(chǎn)品質(zhì)量,CoC老化測(cè)試是一種有效的剔除早期CoC產(chǎn)品失效的篩選方法。聯(lián)訊儀器CoC老化測(cè)試設(shè)備通過(guò)控制老化溫度,老化電流,老化時(shí)長(zhǎng)等測(cè)試條件,對(duì)老化前后的激光器功率變化,閾值變化等進(jìn)行評(píng)估,將產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造中的材料缺陷,加工缺陷等及早篩選出來(lái),提高了進(jìn)入后端工序的產(chǎn)品的可靠性!聯(lián)訊儀器CoC老化聯(lián)訊儀 -
400G以太網(wǎng)光模塊發(fā)展及聯(lián)訊測(cè)試方案2022-11-20 09:25
云計(jì)算,VR/AR,AI,5G等技術(shù)的應(yīng)用對(duì)流量的需求非常大,流量的爆炸性增長(zhǎng)需要更高的帶寬,其中數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)傳輸距離通常較短,但是對(duì)帶寬需求更大。目前,數(shù)據(jù)中心不同機(jī)房間的互聯(lián)以及多個(gè)數(shù)據(jù)中心之間的互聯(lián)場(chǎng)景正逐步向400G甚至800G光模塊演進(jìn)。400G以太網(wǎng)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展IEEE802.3工作組主要側(cè)重以太網(wǎng)物理接口的標(biāo)準(zhǔn)化工作,截止到目前已經(jīng)發(fā)布了一系列 -
聯(lián)訊儀器裸Die半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試機(jī)2022-11-20 09:23
芯片良率是影響企業(yè)成本的重要因素之一,半導(dǎo)體激光器屬于化合物半導(dǎo)體,其主要材質(zhì)以非常脆的砷化鎵、磷化銦為主,在其制備的各個(gè)工藝環(huán)節(jié),良品率不高是一個(gè)普遍問(wèn)題。以國(guó)外知名芯片企業(yè)為例,其生產(chǎn)能達(dá)到70%以上良率,但后道封裝以及最終產(chǎn)品嚴(yán)格判定標(biāo)準(zhǔn)等累計(jì)具有30%良率的損失。良品率不高,就需要專(zhuān)用的測(cè)試裝備對(duì)不良品進(jìn)行篩選,國(guó)內(nèi)在此領(lǐng)域原先一直停留在低端的Bar