完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>
電子發燒友網技術文庫為您提供最新技術文章，最實用的電子技術文章，是您了解電子技術動態的最佳平臺。
雖然DUVL機器可以通過多重曝光技術將線寬縮小到7-5納米，但如果要獲得更小的線寬，DUVL已經達到了極限。采用EUV作為光源的極紫外光刻（EUVL）成為研究的重點，其波長為13.5納米。...
在半導體工藝中，“鍵合”是指將晶圓芯片連接到襯底上。粘接可分為兩種類型，即傳統方法和先進方法。傳統的方法包括晶片連接(或晶片連接)和電線連接，而先進的方法包括IBM在60年代末開發的倒裝芯片連接。...
晶圓測試的對象是晶圓，而晶圓由許多芯片組成，測試的目的便是檢驗這些芯片的特性和品質。為此，晶圓測試需要連接測試機和芯片，并向芯片施加電流和信號。...
PDK 提供了開發平面芯片所需的適當詳細程度，將設計工具與制造工藝相結合，以實現可預測的結果。但要讓該功能適用于具有異構小芯片的PDK，要復雜很多倍。...
CP（Chip Probing）測試也叫晶圓測試(wafer test)，也就是在芯片未封裝之前對wafer進行測試，這樣就可以把有問題的芯片在封裝之前剔除出來，節約封裝和FT的成本。...
凸點金屬化是為了將半導體中P-N結的性能引出，其中熱壓倒裝芯片連接最合適的凸點材料是金，凸點可以通過傳統的電解鍍金方法生成，或者采用釘頭凸點方法，后者就是引線鍵合技術中常用的凸點形成工藝。...
WLP 可以有效提高封裝集成度，通常采用倒裝(FC)互連技術，是芯片尺寸封裝 CSP 中空間占用最小的一種。...
WAT需要標注出測試未通過的裸片（die），只需要封裝測試通過的die。 FT是測試已經封裝好的芯片（chip），不合格品檢出。WAT和FT很多項目是重復的，FT多一些功能性測試。WAT需要探針接觸測試點（pad）...
在自然界中，獲取成本最低的半導體就是硅。而硅料的提取是熔煉砂子。提到這里可能有朋友想到“光伏電池片用的也是硅片”。...
先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對8吋，12吋硅片的應用在不斷擴大。這些直徑分別為100mm、150mm、200mm、300mm。硅片直徑的增大可降低單個芯片的制造成本。...
封裝的主要生產過程包括：晶圓切割，將晶圓上每一晶粒加以切割分離。粘晶，（Die-Attach）將切割完成的晶粒放置在導線架上。焊線，（WireBond）將晶粒信號接點用金屬線連接至導線架上。...
用于定義晶圓表面特性的 TTV、彎曲和翹曲術語通常在描述晶圓表面光潔度的質量時引用。首先定義以下術語以描述晶圓的各種表面。...
目前最先進的黃光微影制程中，使用ArF準分子雷射（λ=193nm）作為光源。nm為nano-meter，代表10的負九次方。...
當等離子體轉變到這種狀態時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分布函數進行調整。...
封裝可行性審查應在封裝開發初期進行，審查結果需要提交給芯片和產品設計人員做進一步反饋。完成可行性研究后，須向封裝制造商下訂單，并附上封裝、工具、引線框架和基板的設計圖紙。...
在多層集成電路中，薄的、短的局部互連提供片上連接，而厚的、長的全局互連在不同的塊之間傳輸。正如Lam Research技術總監Larry Zhao所詳細描述的那樣，硅通孔（TSV）允許信號和功率從一層傳輸到下一層。...
隨著晶體管尺寸的逐步縮小，其特征尺寸也在不斷縮小，當特征尺寸到了22nm，平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現短溝道效應，逐漸被一種新型的晶體管所取代，即鰭式場效應晶體管（Fin FET）。...
關注我們的微信
下載發燒友APP
電子發燒友觀察
版權所有 ? 湖南華秋數字科技有限公司
長沙市望城經濟技術開發區航空路6號手機智能終端產業園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918
工商網監
湘ICP備2023018690號-1
