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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地，英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺，包括工程師應(yīng)用知識和經(jīng)驗分享，在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

  • 當(dāng).XT技術(shù)遇上SiC單管2022-04-30 01:57

    英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率范圍最高可到20kW，產(chǎn)品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產(chǎn)品也許您已選用測試，或許還在選型觀望，又或者正懵懂于“.XT”是個啥？不妨讀完此文，撥云見日，三站地鐵，十分鐘足
    SiC 949瀏覽量

  • 怎么理解驅(qū)動芯片的驅(qū)動電流能力2022-04-28 01:33

    使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動芯片的經(jīng)歷。面對標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動產(chǎn)品時，往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下，總希望選擇一個剛好夠用的產(chǎn)品。以下內(nèi)容或許能給到些啟發(fā)。首先來看一下這個驅(qū)動峰值電流的定義方式。這個很重要，不同公司的產(chǎn)品往往宣傳說法不一樣，所以要參考規(guī)格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產(chǎn)品的電流表。比如1EDI60I12A
    驅(qū)動器 2877瀏覽量

  • 新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二極管的Dual-Boost Easy3B模塊2022-04-26 01:23

    新品1500V光伏雙面組件MPPT模塊該功率模塊是為1500V直流電壓的太陽能應(yīng)用而開發(fā)的，與雙面光伏組件兼容，功率為500W+。每個模塊都配備了3路MPPT，每路MPPT的輸入電流可達(dá)到30A。產(chǎn)品規(guī)格：FS3L200R10W3S7F_B94200A950VFS3L200R10W3S7F_B94是采用200A950VIGBT7S7和SiC二極管的Dual-
    芯片 模塊 1157瀏覽量

  • 新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM2022-04-23 01:42

    新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達(dá)1.5HP的逆變器產(chǎn)品規(guī)格：IM323系列的新成員是專門為家用空調(diào)和家用電器應(yīng)用設(shè)計的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達(dá)1
    IGBT IPM 935瀏覽量

  • 新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品2022-04-20 01:27

    新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化，性能和可靠性均有進(jìn)一步提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
    MOSFET 899瀏覽量

  • 無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列2022-04-19 01:24

    在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動芯片的概覽，PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，SOI驅(qū)動芯片技術(shù)等非隔離的驅(qū)動技術(shù)，本文會繼續(xù)介紹英飛凌的無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動芯片技術(shù)。在隔離器件的技術(shù)上，有三種主流的隔離技術(shù)，分別是光隔離，電容隔離和變壓器隔離。顧名思義，其隔離的介質(zhì)分別是光，電場信號和磁信號，隔離器件的使用及其廣泛，從輸入輸出接口，通訊端口，到功率器件的柵極驅(qū)
    芯片 1455瀏覽量

  • IGBT驅(qū)動電流行為綜述2022-04-16 01:38

    IGBT驅(qū)動需要電流：IGBT是一種電壓驅(qū)動的電子開關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導(dǎo)通，實際器件的驅(qū)動是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅(qū)動電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。驅(qū)動的峰值電流很好理解，按照歐姆定律，由驅(qū)動電壓和驅(qū)動電阻決定：但在小阻值驅(qū)動回路中，實際測得驅(qū)動電流一般比上述公式計算
    IGBT 2156瀏覽量

  • 高集成度功率電路的熱設(shè)計挑戰(zhàn)2022-04-15 01:29

    前言目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體

  • 隔離型驅(qū)動的新勢力：英飛凌無磁芯變壓器(CT:Coreless Transformer)隔離型驅(qū)動2022-04-12 01:27

    一提到隔離型驅(qū)動，不少硬件研發(fā)工程師就會先入為主想到光耦。可光耦真的是唯一選擇嗎？伴隨著全球電氣化和數(shù)字化的趨勢，電力電子技術(shù)的發(fā)展也日新月異：功率器件開關(guān)頻率進(jìn)一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應(yīng)用環(huán)境更加復(fù)雜惡劣，這些都對隔離型驅(qū)動的性能和可靠性提出了全新的挑戰(zhàn)。而英飛凌隔離型驅(qū)動的超強性能正好滿足了這些挑戰(zhàn)：＋無磁芯變壓器隔離技術(shù)基于磁耦合的電氣隔
    英飛凌 驅(qū)動器 1290瀏覽量

  • 如何正確理解功率循環(huán)曲線2022-04-08 01:25

    近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來評估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會引起結(jié)合點的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分
    IGBT 1852瀏覽量