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何謂 I-line？
答：曝光過程中用到的光，由Mercury Lamp（汞燈）產(chǎn)生，其波長為365nm，其波長較長，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應(yīng)用在次重要的層次。
何謂 DUV？
答：曝光過程中用到的光，其波長為248nm，其波長較短，因此曝光完成后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。
I-line與DUV主要不同處為何？
答：光源不同，波長不同，因此應(yīng)用的場合也不同。I-Line主要用在較落后的制程（0.35微米以上）或者較先進(jìn)制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV則用在先進(jìn)制程的Critical layer上。
何為Exposure Field？
答：曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域
何謂 Stepper？ 其功能為何？
答：一種曝光機，其曝光動作為Step by step形式，一次曝整個exposure field，一個一個曝過去
何謂 Scanner？ 其功能為何？
答：一種曝光機，其曝光動作為Scanning and step形式， 在一個exposure field曝光時， 先Scan完整個field， Scan完後再移到下一個field.
何為象差？
答：代表透鏡成象的能力，越小越好。
Scanner比Stepper優(yōu)點為何？
答：Exposure Field大，象差較小
曝光最重要的兩個參數(shù)是什幺？
答：Energy（曝光量）， Focus（焦距）。如果能量和焦距調(diào)整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的圖形，主要表現(xiàn)在圖形的CD值超出要求的范圍。因此要求在生產(chǎn)時要時刻維持最佳的能量和焦距，這兩個參數(shù)對于不同的產(chǎn)品會有不同。
何為Reticle？
答：Reticle也稱為Mask，翻譯做光掩模板或者光罩，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳遞到芯片上。
何為Pellicle？
答：Pellicle是Reticle上為了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle）落在光罩的圖形面上的一層保護膜。
何為OPC光罩？
答：OPC （Optical Proximity Correction）為了增加曝光圖案的真實性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly， Metal layer就是OPC光罩。
何為PSM光罩？
答：PSM （Phase Shift Mask）不同于Cr mask， 利用相位干涉原理成象，目前大都應(yīng)用在contact layer以及較小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。
何為CR Mask？
答：傳統(tǒng)的鉻膜光罩，只是利用光訊0與1干涉成像，主要應(yīng)用在較不Critical 的layer
光罩編號各位代碼都代表什幺？
答：例如003700-156AA-1DA， 0037代表產(chǎn)品號，00代表Special code，156代表layer，A代表客戶版本，后一個A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV（如果是J，則代表I-line），A代表ASML機臺（如果是C，則代表Canon機臺）
光罩室同時不能超過多少人在其中？
答：2人，為了避免產(chǎn)生更多的Particle和靜電而損壞光罩。
存取光罩的基本原則是什幺？
答：（1） 光罩盒打開的情況下，不準(zhǔn)進(jìn)出Mask Room，最多只準(zhǔn)保持2個人（2） 戴上手套（3） 輕拿輕放
如何避免靜電破壞Mask？
答：光罩夾子上連一導(dǎo)線到金屬桌面，可以將產(chǎn)生的靜電導(dǎo)出。
光罩POD和FOUP能放在一起嗎？它們之間至少應(yīng)該保持多遠(yuǎn)距離？
答：不能放在一起，之間至少要有30公分的距離，防止搬動FOUP時碰撞光罩Pod而損壞光罩。
何謂 Track？
答：Photo制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理，Coating（上光阻），和Develop（顯影）等過程。
In-line Track機臺有幾個Coater槽，幾個Developer槽？
答：均為4個
機臺上亮紅燈的處理流程？
答：機臺上紅燈亮起的時候表明機臺處于異常狀態(tài)，此時已經(jīng)不能RUN貨，因此應(yīng)該及時Call E.E進(jìn)行處理。若EE現(xiàn)在無法立即解決，則將機臺掛DOWN。
何謂 WEE？ 其功能為何？
答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer邊緣的光阻通常會涂布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形，而且有時還會因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因此 將Wafer Edge的光阻曝光，進(jìn)而在顯影的時候?qū)⑵淙コ?，這樣便可以消除影響。
何為PEB？其功能為何？
答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。（消除standing waves）
PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻還是負(fù)光阻？
答：目前正負(fù)光阻都有，SMIC FAB內(nèi)用的為負(fù)光阻。
RUN貨結(jié)束后如何判斷是否有wafer被reject？
答：查看RUN之前l(fā)ot里有多少Wafer，再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，則進(jìn)一步查看機臺是否有Reject記錄。
何謂 Overlay？ 其功能為何？
答：迭對測量儀。由于集成電路是由很多層電路重迭組成的，因此必須保證每一層與前面或者后面的層的對準(zhǔn)精度，如果對準(zhǔn)精度超出要求范圍內(nèi)，則可能造成整個電路不能完成設(shè)計的工作。因此在每一層的制作的過程中，要對其與前層的對準(zhǔn)精度進(jìn)行測量，如果測量值超出要求，則必須采取相應(yīng)措施調(diào)整process condition.
何謂 ADI CD？
答：Critical Dimension，光罩圖案中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復(fù)制在Wafer上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測量CD的值來確定process的條件是否合適。
何謂 CD-SEM？ 其功能為何？
答：掃描電子顯微鏡。是一種測量用的儀器，通?？梢杂糜跍y量CD以及觀察圖案。
PRS的制程目的為何？
答：PRS （Process Release Standard）通過選擇不同的條件（能量和焦距）對Wafer曝光，以選擇最佳的process condition。
何為ADI？ADI需檢查的項目有哪些？
答：After Develop Inspection，曝光和顯影完成之后，通過ADI機臺對所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其是否正常，其檢查項目包括：Layer ID，Locking Corner，Vernier，Photo Macro Defect
何為OOC， OOS，OCAP？
答：OOC=out of control，OOS=Out of Spec，OCAP=out of control action plan
當(dāng)需要追貨的時候，是否需要將ETCH沒有下機臺的貨追回來？
答：需要。因為通常是process出現(xiàn)了異常，而且影響到了一些貨，因此為了減少損失，必須把還沒有ETCH的貨追回來，否則ETCH之后就無法挽回?fù)p失。
PHOTO ADI檢查的SITE是每片幾個點？
答：5點，Wafer中間一點，周圍四點。
PHOTO OVERLAY檢查的SITE是每片幾個點？
答：20
PHOTO ADI檢查的片數(shù)一般是哪幾片？
答：#1，#6，#15，#24; 統(tǒng)計隨機的考量
何謂RTMS，其主要功能是什幺？
答：RTMS （Reticle Management System） 光罩管理系統(tǒng)用于trace光罩的History，Status，Location，and Information以便于光罩管理
PHOTO區(qū)的主機臺進(jìn)行PM的周期？
答：一周一次
PHOTO區(qū)的控片主要有幾種類型
答：（1） Particle ：作為Particle monitor用的芯片，使用前測前需小於10顆（2） Chuck Particle ：作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片，其平坦度要求非常高（3） Focus ：作為Scanner Daily monitor best 的wafer（4） CD ：做為photo區(qū)daily monitor CD穩(wěn)定度的wafer（5） PR thickness ：做為光阻厚度測量的wafer（6） PDM ：做為photo defect monitor的wafer
當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？
答：有少量光阻
當(dāng)TRACK剛顯示光阻用完時，其實機臺中還有光阻嗎？
答：有少量光阻
WAFER SORTER有讀WAFER刻號的功能嗎？
答：有
工商網(wǎng)監(jiān)
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