Fab內的滅火器為那一類？

　　答：CO2 類

　　為什幺FAB必須使用CO2類的滅火器？

　　答：因為CO2無干粉滅火器產塵的顧忌

　　如果不依垃圾分類原則來丟垃圾會有什幺后果？

　　答：可能造成無塵室的火災危機，因為酸堿中和，產生熱后可能引起火災

　　無塵室的正下方我們稱為什幺？

　　答：sub-fab

　　Sub-fab的功能主要為何？

　　答：生產機臺所需的供酸供氣等需求，主要由此處來供應上來

　　Fab內的空氣和外界進行交換的比例為何？

　　答：約20%~25%

　　Fab生產區域內最在意靜電（ESD）效應的區域為何？

　　答：PHOTO 黃光區（低能量靜電放電導致光罩的破壞）

　　PHOTO 區如何消除靜電效應

　　答：（1） 機臺接地（2） 使用導電或防靜電的材質（3） 使用靜電消除裝置

　　PHOTO 區的靜電消除器安置在那些地方？

　　答：（1） 天花板（2） 機臺scanner上方 （3） Stocker內

　　靜電效應主要造成那些破壞？

　　答：（1） 使得wafer表面易吸附particle （2） 堆積的靜電荷一旦有放電作用，即會因產生的電流造成組件的破壞

　　何謂沖身洗眼器？/何處可以找到？

　　答：無塵室中各區域皆會有;是一可緊急使用沖淋身體與眼睛的地方

　　遇到什幺狀況時，需要使用沖身洗眼器

　　答：當碰到酸堿或任何其它溶劑時，請立即進入沖淋間，以大量清水沖淋15分鐘，然后趕急至醫護室進行下一步處理

　　為何要配合海關進行資產盤點？（機臺/芯片/原物料）

　　答：因為進口的大部份資產都有關稅優惠;海關為了解企業確實將這些進口的材料加工成品后賣錢;而不是轉手賣掉。這一盤點對公司來說是非常重要的

　　PHOTO區域若發生miss operaton ; 可進行rework將光阻去除后重新來過;所以不用太緊張對嗎？

　　答：錯！ 重做多次將影響良率

　　PEL-STEL（short term exposure limit） 短時間（15分鐘）時量平均容許濃度

　　答：勞工在短時間之內可以連續暴露，而不會遭受刺激，慢性或不可逆的組織損害，或在每天之暴露沒有超過工作日時量平均容許濃度時不致因昏迷以致于會增加意外事故，損害自我救援能力，或實質地降低工作效率。

　　PEL-Ceiling最高容許濃度：

　　答：在工作期間之任何時間暴露，均不可以超過的濃度。

　　LEL & UEL （Lower（Upper） Explosion Limit）

　　答：。爆炸下限 & 爆炸上限;可燃性氣體分子在空氣中混合后的氣體百分率，達爆炸范圍時，可引起燃燒或爆炸，此爆炸范圍的下限及上限稱為LEL及UEL例如 SiH4 1.4%-96%

　　TLV （THRESHOLD LIMIT VALUE ） 國際標準閾限值、恕限量

　　答：空氣中的物質濃度，在此情況下認為大多數人員每天重復暴露，不致有不良效應。在此濃度每天呼吸暴露8小時不致有健康危害。但因每人體質感受性差異很大，因此，有時即使低于TLV之濃度方可能導致某些人之不舒服、生病或使原有情況加劇。

　　PEL-TWA（time-weighted average） 工作日時量平均容許濃度：各國家對同要物質可能有不同 TWA;例如AsH3 在 USA:20ppb Taiwan:50ppb

　　答：正常8小時一個工作天，40小時一工作周之時間加權的平均濃度下，大部份的勞工都重復一天又一天的曝露，而無不良的反應。

　　PHOTO

　　PHOTO 流程？

　　答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測

　　何為光阻？其功能為何？其分為哪兩種？

　　答：Photoresist（光阻）。是一種感光的物質，其作用是將Pattern從光罩（Reticle）上傳遞到Wafer上的一種介質。其分為正光阻和負光阻。

　　何為正光阻？

　　答：正光阻，是光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質會改變，并在之后的顯影過程中被曝光的部分被去除。

　　何為負光阻？

　　答：負光阻也是光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來的顯影過程中會被留下，而沒有被感光的部分則被顯影過程去除。

　　什幺是曝光？什幺是顯影？

　　答：曝光就是通過光照射光阻，使其感光；顯影就是將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現出來的過程。

　　何謂 Photo？

　　答：Photo=Photolithgraphy，光刻，將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。

　　Photo主要流程為何？

　　答：Photo的流程分為前處理，上光阻，Soft Bake， 曝光，PEB，顯影，Hard Bake等。

　　何謂PHOTO區之前處理？

　　答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先對Wafer表面進行一系列的處理工作，以使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布。前處理主要包括Bake，HDMS等過程。其中通過Bake將Wafer表面吸收的水分去除，然后進行HDMS工作，以使Wafer表面更容易與光阻結合。

　　何謂上光阻？

　　答：上光阻是為了在Wafer表面得到厚度均勻的光阻薄膜。光阻通過噴嘴（Nozzle）被噴涂在高速旋轉的Wafer表面，并在離心力的作用下被均勻的涂布在Wafer的表面。

　　何謂Soft Bake？

　　答：上完光阻之后，要進行Soft Bake，其主要目的是通過Soft Bake將光阻中的溶劑蒸發，并控制光阻的敏感度和將來的線寬，同時也將光阻中的殘余內應力釋放。

　　何謂曝光？

　　答：曝光是將涂布在Wafer表面的光阻感光的過程，同時將光罩上的圖形傳遞到Wafer上的過程。

　　何謂PEB（Post Exposure Bake）？

　　答：PEB是在曝光結束后對光阻進行控制精密的Bake的過程。其目的在于使被曝光的光阻進行充分的化學反應，以使被曝光的圖形均勻化。

　　何謂顯影？

　　答：顯影類似于洗照片，是將曝光完成的Wafer進行成象的過程，通過這個過程，成象在光阻上的圖形被顯現出來。

　　何謂Hard Bake？

　　答：Hard Bake是通過烘烤使顯影完成后殘留在Wafer上的顯影液蒸發，并且固化顯影完成之后的光阻的圖形的過程。

　　何為BARC？何為TARC？它們分別的作用是什幺？

　　答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating， TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質，TARC則是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質。他們的作用分別是減少曝光過程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。